عنوان انگليسي

Metalorganic Chemical Vapor Deposition Route to GaN Nanowires with Triangular Cross Sections



نویسنده/ناشر/نام مجله :
NANO LETTERS
سال انتشار
2003
کد محصول
1000168
تعداد صفحات انگليسي
4
تعداد صفحات فارسي
11
قیمت بر حسب ریال
80000
نوع فایل های ضمیمه
Pdf+Word
حجم فایل
1 مگا بایت
تصویر پیش فرض


عنوان فارسي

روش رسوبگیری بخار شیمیایی فلز آلی در نانوسیم های GaN با سطح مقطع های مثلثی




نام و نام خانوادگی
*


تلفن همراه
*


ایمیل
*






Abstarct

High-quality gallium nitride nanowires have been synthesized via metal-initiated metalorganic chemical vapor deposition for the first time. Excellent substrate coverage was observed for wires prepared on silicon, c-plane, and a-plane sapphire substrates. The wires were formed via the vapor-liquid-solid mechanism with gold, iron, or nickel as growth initiators and were found to have widths of 15-200 nm. Transmission electron microscopy confirmed that the wires were single-crystalline and were oriented predominantly along the [210] or [110] direction. Wires growing along the [210] orientation were found to have triangular cross-sections. Transport measurements confirmed that the wires were n-type and had electron mobilities of   Photoluminescence measurements showed band edge emission at 3.35 eV (at 5 K), with a marked absence of low-energy emission from impurity defects

چکیده

نانوسیم های نیترید گالیوم با کیفیت بالا از طریق رسوب گیری بخار شیمیایی فلز آلی برای نخستین بار سنتز شده اند. پوشش بستری عالی برای سیم های تهیه شده روی زیرلایه های یاقوت کبود صفحه a، صفحه c و سیلیکون مشاهده شد. سیم ها از طریق مکاینزم بخار – مایع – جامد با اغازکننده های رشد از جنس طلا، آهن و نیکل شکل یافتند و پهنای آنها 15-200 nm بود. TEM نشان داد که سیم ها تک کریستالی بوده و اغلب در جهت [210]  یا  [110] قرار داشتند. رشد سیم های در راستای [210] دارای سطح مقطع های مثلثی شکل بود. اندازه گیری های ترابردی ثابت کرد که سیم ها از نوع n و تحرک الکترون برابر حدود 65 cm2/V.s بود. اندازه گیری نورتابی نشر لبه باند را در 3.35 eV (at 5 K) همراه با عدم نشر قابل توجه در محدوده کم انرژی ناشی از نقوص ناخالصی را ثابت کرد.

1-مقدمه 

نانوساختارهای نیمرسانای یک بعدی تک کریستالی توجه بسیاری را بعنوان بلوک های سازنده نانوفناوری آینده به خود جلب کرده اند. نیترید گالیوم یک نیمرسانای قوی با گاف انرژی پهن است. به دلیل نقطه ذوب بالا، تحرک حامل زیاد و میدان شکست الکتریکی زیاد، این عنصر یک کاندید خوب برای استفاده در دستگاه های اپتوالکترونیکی توان بالا و بازده بالا به شمار می رود.  نانوتیوب ها و نانوسیم های نیترید گالیوم نوید تحقق نانودستگاه های بیولوژیکی و فوتونیکی نظیر دیودهای گسیلنده نور آبی (LEDs)، نانولیزرهای فرابنفش با طول موج کوتاه و سنسورهای بیوشیمیایی نانوسیالی را می دهند.
در واقع همه طرح های سنتزی گزارش شده برای نانوسیم های مبتنی بر GaN تا امروز از ساییدگی لیزری، انتقال بخار شیمیایی یا اپیتکسی بخار هیدرید استفاده کرده اند. اغلب این فرآیندها از فلز Ga بعنوان منبع بخار دمای بالا استفاده می کنند. فلزاتی نظیر Ni, Fe,  و  Au بعنوان اغاز کننده برای رشد نانوسیم بخار – مایع – جامد (VLS) استفاده کرده اند گرچه VLS خودکاتالیست یا یک فرآیند بخار – جامد مستقیم نیز می تواند نانوسیم ها در این سیستم را تولید نماید استفاده از یک منبع Ga جامد گرچه از نظر تکنیکی ساده است ولی اغلب به فشار بخار غیرثابت و ناپیوسته می انجامد و پیاده سازی ان در یک راکتور جریان پیوسته دشوار است. با اینکه رشد فیلم های نازک GaN اغلب از فرآیند رسوبگیری بخار شیمیایی فلز آلی (MOCVD) بهره می گیرد، تاکنون هیچ گزارشی مبنی بر رشد VLS نانوسیم های GaN با استفاده از MOCVD وجود نداشته است...




Skip Navigation Links
ناحیه کاربری

 
 

وارد شوید


دانلود فایل
دانلود مقالات ترجمه شده

مقالات ترجمه شده فنی مهندسی

مهندسی فناوری اطلاعات مهندسی برق مهندسی عمران مهندسی كامپيوتر مهندسي شيمی
مهندسی مکانیک مهندسی صنايع مهندسی پليمر مهندسی نفت مهندسی پزشکی
مهندسی معدن مهندسی مواد مهندسي نساجی مهندسی شهرسازی مهندسی هوافضا
مهندسی ایمنی صنعتی

مقالات ترجمه شده علوم انسانی

حسابداری مديريت روانشناسی حقوق علوم اقتصادی
تربيت بدنی و علوم ورزشی علوم تربيتی فلسفه علوم ارتباطات اجتماعی مديريت جهانگردی
مديريت اجرايی تاريخ علوم اجتماعی علوم جغرافيايی علوم سياسی
مجموعه محيط زيست باستان شناسی زبانشناسی مطالعات جهان الهیات و معارف اسلامی

مقالات ترجمه شده علوم پایه

زيست شناسی شيمی رياضی فیزیک زمين شناسی
آمار ژئوفيزيك و هواشناسی نانوفناوری

مقالات ترجمه شده علوم پزشکی

پزشكی بيوتكنولوژی پرستاری داروسازی علوم آزمايشگاهی
دامپزشكی دندانپزشكی

مقالات ترجمه شده کشاورزی

مجموعه مهندسی كشاورزی مجموعه مهندسی منابع طبيعی

مقالات ترجمه شده هنر

معماری
تماس با ما

آدرس دفتر تهران

خیابان ولیعصر، زرتشت غربی، بعد از بیمارستان مهر، پلاک 86 واحد 3
تلفن تماس 02188972928
مدیریت گروه 09124677115
مدیریت فناوری اطلاعات
09124648967
آدرس دفتر کرج
البرز - نظرآباد - الغدیر جنوبی، کوچه غدیر 4 (کوچه شهید بذرپاچ) ساختمان ستاره طبقه چهارم پلاک 6
تلفن تماس 02645344101
دعوت به همکاری