عنوان انگليسي

Controlled growth of GaN nanowires by pulsed metalorganic chemical vapor deposition



نویسنده/ناشر/نام مجله :
APPLIED PHYSICS LETTERS
سال انتشار
2005
کد محصول
1000169
تعداد صفحات انگليسي
3
تعداد صفحات فارسي
8
قیمت بر حسب ریال
60000
نوع فایل های ضمیمه
Pdf+Word
حجم فایل
622 کیلو بایت
تصویر پیش فرض


عنوان فارسي

رشد کنترل شده ی نانوسیم های GaN به وسیله رسوبگیری پالسی بخار شیمیایی فلز آلی




نام و نام خانوادگی
*


تلفن همراه
*


ایمیل
*





 
Abstarct

Controlled and reproducible growth of GaN nanowires is demonstrated by pulsed low-pressure metalorganic chemical vapor deposition. Using self-assembled Ni nanodots as nucleation sites on s0001d sapphire substrates we obtain nanowires of wurtzite-phase GaN with hexagonal cross sections, diameters of about 100 nm, and well-controlled length. The nanowires are highly oriented and perpendicular to the growth surface. The wires have excellent structural and optical properties, as determined by x-ray diffraction, cathodoluminescence, and Raman scattering. The x-ray measurements show that the nanowires are under a complex strain state consistent with a superposition of hydrostatic and biaxial components

چکیده

رشد کنترل شده و تکرارپذیر نانوسیم های GaN به وسیله رسوبگیری پالسی بخار شیمیایی فلز آلی در فشار کم به اثبات می رسد. استفاده از نانونقاط Ni خودتجمعی بعنوان محل های هسته سازی روی زیرلایه های یاقوت (0001) ، ما نانوسیم هایی از جنس GaN در فاز وورزیت (wurtzite-phase) به دست می آوریم که سطح مقطع های شش گوش به قطر حدود 100 nm و طول کنترل شده دارند. نانوسیم ها کاملا جهت دارد و عمود بر سطح رشد هستند. سیم ها مشخصات ساختاری و اپتیکی خوبی دارند که توسط پراش پرتو ایکس، نورتابی کاتدی و پراکندگی رامان مشخص می شوند. اندازه گیری ها نشان می دهند که نانوسیم ها تحت وضعیت کششی پیچیده ای هستند که مطابق با هم پوشانی مولفه های هیدروستاتیک و دومحوری آنهاست.

مقدمه

نانوسیم های نیمرسانا ساختارهای شبه تک بعدی دارند و خصوصیات الکتریکی و اپتیکی خاصی از خود نشان می دهند. تحقیقات قابل توحهی به سنتز نانوسیم های GaN معطوف شده است. تهیه سیم به کمک اپی تکسی پرتو مولکولی ، ساییدگی لیزری هدف های حاوی GaN، واکنش مخلوط Ga/Ga2O3 با NH3 در نمونه های آمونیاک آندی، واکنش مستقیم Ga با NH3 در یک کوره تیوبی و رسوبگیری بخار شیمیایی از پیش ماده های حاوری Ga و روی زیرلایه های NH3  با روکش کاتالیست همه گزارش شده اند. تهیه سیم معمولا بر اساس مکانیزم رشد بخار-مایع-جامد (VLS) با استفاده از نانوذرات کاتالیستی In، Au, Fe, Ni,  یا  Co صورت می گیرد. توجه زیادی اخیرا به سنتز نانوسیم های GaN به وسیله رسوبگیری بخار شیمیایی فلز آلی (MOCVD) معطوف شده است. در این کار نمونه های نانوسیم توسط MOCVD کم فشار در یک راکتور سر دوش بسته رشد یافتند...




Skip Navigation Links
ناحیه کاربری

 
 

وارد شوید


دانلود فایل
دانلود مقالات ترجمه شده

مقالات ترجمه شده فنی مهندسی

مهندسی فناوری اطلاعات مهندسی برق مهندسی عمران مهندسی كامپيوتر مهندسي شيمی
مهندسی مکانیک مهندسی صنايع مهندسی پليمر مهندسی نفت مهندسی پزشکی
مهندسی معدن مهندسی مواد مهندسي نساجی مهندسی شهرسازی مهندسی هوافضا
مهندسی ایمنی صنعتی

مقالات ترجمه شده علوم انسانی

حسابداری مديريت روانشناسی حقوق علوم اقتصادی
تربيت بدنی و علوم ورزشی علوم تربيتی فلسفه علوم ارتباطات اجتماعی مديريت جهانگردی
مديريت اجرايی تاريخ علوم اجتماعی علوم جغرافيايی علوم سياسی
مجموعه محيط زيست باستان شناسی زبانشناسی مطالعات جهان الهیات و معارف اسلامی

مقالات ترجمه شده علوم پایه

زيست شناسی شيمی رياضی فیزیک زمين شناسی
آمار ژئوفيزيك و هواشناسی نانوفناوری

مقالات ترجمه شده علوم پزشکی

پزشكی بيوتكنولوژی پرستاری داروسازی علوم آزمايشگاهی
دامپزشكی دندانپزشكی

مقالات ترجمه شده کشاورزی

مجموعه مهندسی كشاورزی مجموعه مهندسی منابع طبيعی

مقالات ترجمه شده هنر

معماری
تماس با ما

آدرس دفتر تهران

خیابان ولیعصر، زرتشت غربی، بعد از بیمارستان مهر، پلاک 86 واحد 3
تلفن تماس 02188972928
مدیریت گروه 09124677115
مدیریت فناوری اطلاعات
09124648967
آدرس دفتر کرج
البرز - نظرآباد - الغدیر جنوبی، کوچه غدیر 4 (کوچه شهید بذرپاچ) ساختمان ستاره طبقه چهارم پلاک 6
تلفن تماس 02645344101
دعوت به همکاری