عنوان انگليسي

Large Area, Few-Layer Graphene Films on Arbitrary Substrates by Chemical Vapor Deposition



نویسنده/ناشر/نام مجله :
NANO LETTERS
سال انتشار
2009
کد محصول
1000172
تعداد صفحات انگليسي
7
تعداد صفحات فارسي
8
قیمت بر حسب ریال
80000
نوع فایل های ضمیمه
Pdf+Word
حجم فایل
2 مگا بایت
تصویر پیش فرض


عنوان فارسي

فیلم های گرافنی چند لایه ای و با مساحت زیاد روی زیرلایه های دلخواه به کمک رسوبگیری بخار شیمیایی




نام و نام خانوادگی
*


تلفن همراه
*


ایمیل
*






Abstarct

In this work we present a low cost and scalable technique, via ambient pressure chemical vapor deposition (CVD) on polycrystalline Ni films, to fabricate large area (~cm2) films of single- to few-layer graphene and to transfer the films to nonspecific substrates. These films consist of regions of 1 to ~12 graphene layers. Single- or bilayer regions can be up to 20 μm in lateral size. The films are continuous over the entire area and can be patterned lithographically or by prepatterning the underlying Ni film. The transparency, conductivity, and ambipolar transfer characteristics of the films suggest their potential as another materials candidate for electronics and opto-electronic applications

چکیده

در این کار ما یک روش کم هزینه و مقیاس پذیر را ارائه می کنیم که در آن از رسوبگیری بخار شیمیایی (CVD) روی فیلم های Ni پلی کریستالین استفاده می شود تا فیلم هایی با مساحت زیاد (در حدود cm2) از گرافن تک تا چند لایه ساخته شود و فیلم ها به زیرلایه های نانوساختاری تبدیل شوند. این فیلم ها شامل نواحی از 1 تا 2 لایه گرافن هستند. اندازه ی عرضی نواحی تک لایه یا دولایه می تواند تا 20 µm باشد. فیلم ها روی سراسر مساحت پیوسته هستند و می توانند با لیتوگرافی یا پیش الگواندازی فیلم Ni زیرین، طرح روی انها انداخت. شفافیت، رسانندگی و حرکت دو قطبی (ambipolar transfer) در  فیلم نشان دهنده پتانسیل آنها بعنوان مواد کاندید دیگر برای الکترونیک و کاربردهای اپتوالکترونیک است.

1-مقدمه

گرافن یک آرایه ای شش گوش از اتم های کربن است که یک ورقه مسطح ضخیم تک اتمی را تشکیل می دهد. جداسازی موفق گرافن به وسیله میکروکلیو کردن (تقسیم و شکافتن میکرو) گرافیت پیرولیتیک کاملا جهت دار (HOPG)،  امکانات هیجان انگیزی را را برای تحقیقات تجربی گشوده است. توجه بسیاری به مشخصات جالب توجهی آن معطوف شده است که ان را به گزینه دیگری برای مواد مورد استفاده در الکترونیک بدل می سازد. روش های شیمیایی برای ساخت گرافن می توانند مزایای زیادی را نسبت به میکروکلیو HOPG نشان دهند بخصوص وقتی به دنبال مساحت های زیاد و کاربرد در مقیاس بزرگ هستیم. روش های سنتز گرافن مساحت زیاد (پهن) عبارتند از آنیل سازی فوق خلا تک کریستال SiC(0001)، رسوبگیری بخار شیمایی UHV روی فلزات گذار تک کریستالی و رسوبگیری فیلم های اکسید گرافن (GO) از یک سوسپانسیون مایع و سپس کاهش شیمیایی. با این همه برخی از این روش ها نیازمند استفاده از یک ماده زیرلایه خاص هستند. بعلاوه هزینه زیاد زیرلایه های تک کریستالی و شرایط UHV  لازم برای رشد، استفاده از این روش ها را برای کاربردهای بزرگ مقیاس بسیار محدود می کند. فیلم های به دست آمده از سوسپانسیون های مایع ورقه های گرافنی می توانند بالقوه بر این محدودیت ها فائق آیند ولی مشخصات ذاتی گرافن هنوز به دست نیامده اند... 




Skip Navigation Links
ناحیه کاربری

 
 

وارد شوید


دانلود فایل
دانلود مقالات ترجمه شده

مقالات ترجمه شده فنی مهندسی

مهندسی فناوری اطلاعات مهندسی برق مهندسی عمران مهندسی كامپيوتر مهندسي شيمی
مهندسی مکانیک مهندسی صنايع مهندسی پليمر مهندسی نفت مهندسی پزشکی
مهندسی معدن مهندسی مواد مهندسي نساجی مهندسی شهرسازی مهندسی هوافضا
مهندسی ایمنی صنعتی

مقالات ترجمه شده علوم انسانی

حسابداری مديريت روانشناسی حقوق علوم اقتصادی
تربيت بدنی و علوم ورزشی علوم تربيتی فلسفه علوم ارتباطات اجتماعی مديريت جهانگردی
مديريت اجرايی تاريخ علوم اجتماعی علوم جغرافيايی علوم سياسی
مجموعه محيط زيست باستان شناسی زبانشناسی مطالعات جهان الهیات و معارف اسلامی

مقالات ترجمه شده علوم پایه

زيست شناسی شيمی فیزیک رياضی زمين شناسی
آمار ژئوفيزيك و هواشناسی نانوفناوری

مقالات ترجمه شده علوم پزشکی

پزشكی بيوتكنولوژی پرستاری داروسازی علوم آزمايشگاهی
دامپزشكی دندانپزشكی

مقالات ترجمه شده کشاورزی

مجموعه مهندسی كشاورزی مجموعه مهندسی منابع طبيعی

مقالات ترجمه شده هنر

معماری
تماس با ما

آدرس دفتر تهران

خیابان ولیعصر، زرتشت غربی، بعد از بیمارستان مهر، پلاک 86 واحد 3
تلفن تماس 02188972928
مدیریت گروه 09124677115
مدیریت فناوری اطلاعات
09124648967
آدرس دفتر کرج
البرز - نظرآباد - الغدیر جنوبی، کوچه غدیر 4 (کوچه شهید بذرپاچ) ساختمان ستاره طبقه چهارم پلاک 6
تلفن تماس 02645344101
دعوت به همکاری