عنوان انگليسي

Growth Mechanism of Oriented Long Single Walled Carbon Nanotubes Using “Fast-Heating” Chemical Vapor Deposition Process



نویسنده/ناشر/نام مجله :
NANO LETTERS
سال انتشار
2004
کد محصول
1000171
تعداد صفحات انگليسي
4
تعداد صفحات فارسي
8
قیمت بر حسب ریال
80000
نوع فایل های ضمیمه
Pdf+Word
حجم فایل
636 کیلو بایت
تصویر پیش فرض


عنوان فارسي

مکانیزم رشد نانوتیوب های کربنی تک دیواره طویل با استفاده از فرآیند رسوب گیری بخار شیمیایی "سریع گرم کن"




نام و نام خانوادگی
*


تلفن همراه
*


ایمیل
*






Abstarct

The growth mechanism of long and aligned single walled carbon nanotubes using a recently reported “fast heating” chemical vapor deposition (CVD) method is discussed. The effect of heating speed at the initial stage of the CVD process has been systematically studied, and a “kite-mechanism” for the nanotube growth is proposed. The understanding of the growth mechanism would enable us to design future experiments to obtain better control of the morphology of the produced nanotubes

چکیده

مکانیزم رشد نانوتیوب های کربنی تک دیواره طویل و ترازمند با استفاده از یک روش اخیرا گزارش شده به نام رسوبگیری بخار شیمیایی (CVD) با "حرارت دهی سریع" بحث می شود. اثر سرعت حرارت دهی در مرحله اولیه فرآیند CVD بطور سیتماتیک بررسی شده است و یک مکانیزم کایت (kite) برای رشد نانوتیوب پیشنهاد می شود. درک مکانیزم رشد ما را قادر می سازد تا آزمایشات آینده را طراحی کرده و کنترل بهتری را از موفولوژی نانوتیوب های تولید شده به دست بیاورد.

1-مقدمه

رشد نانوتیوب های کربنی تک دیواره منفرد طویل (مقیاس nm تا cm)(SWNTs) با جهتگیری کنترل شده با استفاده از روش رسوبگیری بخار شیمیایی با حرارت دهی سریع، تاثیرات مهمی را برای کاربردهای آینده در نانوالکترونیک و مواد کامپوزیت بسیار مقاوم خواهد داشت. نتایج نه تنها کنترل جهتگیری نانوتیوب های منفرد روی یک زیرلایه را با استفاده از  جریان گاز تغذیه کننده نشان می دهد، بلکه آنها نشان می دهند که نانوتیوب ها می توانند تحت شرایط مناسب در طول میکروسکوپیک رشد داده شوند. برای کاربرد در نانوالکترونیک، قابلیت کنترل محل و جهت نانوتیوب های منفرد شرط مهمی برای تولید دستگاه ها در مقیاس بزرگ دارد در حالی که برای مواد کامپوزیت بسیار مقاوم، طول زیاد هر نانوتیوب منفرد، انتقال بار بین نانوتیوب ها و ماتریس ها را بهبود خواهد داد. با این همه در گزارش های قبل، مبدا ترازمندی و طول زیاد بوضوح مشخص نشده بود. به دیت اوردن دیدگاه ها درباره مکانیزم رشد این نانوتیوب های طویل اهمیت علمی و فنی در طراحی آزمایشات آتی برای نیل به کنترل بهتر زشد نانوتیوب دارد. در مقایسه با روش های متداول رسوبگیری بخار شیمیایی که نانوتیوب های با جهات تصادفی و کوتاه تر تولید می کنند، گاز تغذیه کننده، کاتالیست ها و بسیاری از شرایط آزمایشی دیگر در CVD با حرارت دهی سریع، مشابه هستند...




Skip Navigation Links
ناحیه کاربری

 
 

وارد شوید


دانلود فایل
دانلود مقالات ترجمه شده

مقالات ترجمه شده فنی مهندسی

مهندسی فناوری اطلاعات مهندسی برق مهندسی عمران مهندسی كامپيوتر مهندسي شيمی
مهندسی مکانیک مهندسی صنايع مهندسی پليمر مهندسی نفت مهندسی پزشکی
مهندسی معدن مهندسی مواد مهندسي نساجی مهندسی شهرسازی مهندسی هوافضا
مهندسی ایمنی صنعتی

مقالات ترجمه شده علوم انسانی

حسابداری مديريت روانشناسی حقوق علوم اقتصادی
تربيت بدنی و علوم ورزشی علوم تربيتی فلسفه علوم ارتباطات اجتماعی مديريت جهانگردی
مديريت اجرايی تاريخ علوم اجتماعی علوم جغرافيايی علوم سياسی
مجموعه محيط زيست باستان شناسی زبانشناسی مطالعات جهان الهیات و معارف اسلامی

مقالات ترجمه شده علوم پایه

زيست شناسی شيمی رياضی فیزیک زمين شناسی
آمار ژئوفيزيك و هواشناسی نانوفناوری

مقالات ترجمه شده علوم پزشکی

پزشكی بيوتكنولوژی پرستاری داروسازی علوم آزمايشگاهی
دامپزشكی دندانپزشكی

مقالات ترجمه شده کشاورزی

مجموعه مهندسی كشاورزی مجموعه مهندسی منابع طبيعی

مقالات ترجمه شده هنر

معماری
تماس با ما

آدرس دفتر تهران

خیابان ولیعصر، زرتشت غربی، بعد از بیمارستان مهر، پلاک 86 واحد 3
تلفن تماس 02188972928
مدیریت گروه 09124677115
مدیریت فناوری اطلاعات
09124648967
آدرس دفتر کرج
البرز - نظرآباد - الغدیر جنوبی، کوچه غدیر 4 (کوچه شهید بذرپاچ) ساختمان ستاره طبقه چهارم پلاک 6
تلفن تماس 02645344101
دعوت به همکاری