چکیده
مقاله مربوط به طراحی و پیاده‌سازی یک سیستم درایور ایزوله با استفاده از یک مدار مجتمع CMOS برای مبدل‌های DC/DC اینترلیود است. این مقاله بر اساس یک شکل ساختاری جدید درایور گیت برای سوئیچ‌های قدرت مثل ماسفت‌ها و ترانزیستورهای دوقطبی با گیت عایق شده، می باشد. این ساختار متشکل از دو leg (زنجیره) از یک اینورتر CMOS، یک ترانسفورماتور پالس فرکانس بالا و دو دیود زنر متصل در یک ترکیب آنتی سری (پشت به پشت سری کردن) با گیت سوئیچ قدرت است و یک شکل موج درایور گیت دوقطبی بهینه، با مقادیر مثبت و منفی بزرگتر بایاس گیت، به منظور قفل کردن سوئیچ on و off فراهم می‌کند. این ساختار یک درایور گیت ایزوله‌ی ابرفشرده‌ی ساده برای ترکیب شدن در یک تکنولوژی CMOS ارائه می‌دهد. بنابراین مصرف توان، اندازه‌ی سیستم و مقاوم بودن درایور گیت بهینه می‌شوند. این مدار مجتمع درایور را می‌توان برای هرگونه کاربرد مولتی ترانزیستوری مورد استفاده قرار داد. در این مقاله اصول کاری درایور پیشنهادی را با جزئیات بیان می‌کنیم. ما درایور گیت را برای کنترل یک مبدل افزاینده اینترلیود سه فاز پیاده‌سازی کردیم. نتایج ما موثر بودن سیستم درایور پیشنهادی را نشان می‌دهند.
1-مقدمه
مبدل‌ها به طور گسترده‌ای در سیستم های قدرت و بسیاری کاربرد صنعتی دیگر برای تنظیم انرژی الکتریکی مورد استفاده قرار می‌گیرند. در کاربردهای توان بالا ساختارهای اینترلیود به دلیل مزیت‌های توزیع توان، حذف جریان هارمونیک، پاسخ حالت گذرای سریع و کاهش اندازه‌ی مولفه‌ی پسیوشان، راه حلی مفید ارائه می‌دهند. تحقیقات متعددی ساختارهای جدیدی از مبدل‌های dc/dc اینترلیود را مورد مطالعه قرار دادند[1] – [5] , و با تحلیل این ساختارها سودمندی آنها را نشان دادند. برخی کارهای تحقیقاتی دیگر منجر به بهبود طراحی و ساخت مولفه‌های پسیو این مبدل‌ها به منظور کاهش اندازه‌ی سلف و ترانسفورماتور شده است [4] – [6] – [8]. این ساختارها مزیت‌های بسیاری دارند ولی به سوئیچ‌های فعال زیادی همراه با درایور گیت، سنسورها و کنترل نیاز دارند [1]، [2]، [4]، [9]. کارهای تحقیقاتی بسیاری در حال انجام بر روی ساخت افزاره‌های پسیو برای مبدل‌های dc/dc اینترلیود است. هم‌چنین تحقیقاتی نیز بر روی ساده‌سازی پیاده‌سازی و قابلیت اطمینان درایور گیت و افزاره‌ی توان اکتیو در حال انجام است...
میتوانید از لینک ابتدای صفحه، مقاله انگلیسی را رایگان دانلود فرموده و چکیده انگلیسی و سایر بخش های مقاله را مشاهده فرمایید.