Skip Navigation Linksلیست مقالات ترجمه شده / مقالات ترجمه شده مهندسی برق /

عنوان ترجمه شده مقاله: آشنایی با ترانزیستورهای دوقطبی جانبی متقارن بر مبنای SOI به عنوان یک تکنولوژی منطقی دوقطبی مکمل

در این تحقیق، عملکرد مدارات متشکل از CBipolar در برابر اتلاف توان آن با استفاده از معادلات تحلیلی سنجیده می شود
Abstract

Recently published reports suggest that symmetric lateral bipolar transistors on semiconductor-on-insulator (SOI) is CMOS compatible in fabrication process, and can be much denser than CMOS due to their much larger (5-10× larger) drive-current capability. When used in traditional bipolar circuits, SOI bipolar offers much lower power dissipation and/or much higher maximum speed. With both NPN and PNP devices of comparable characteristics, SOI lateral bipolar suggests the possibility of complementary bipolar (CBipolar) circuits in configurations analogous to CMOS. In this paper, the performance versus power dissipation of CBipolar circuits is examined using analytic equations. It is shown that for CBipolar to be superior to CMOS in both performance and power dissipation, narrow-gap-base heterojunction structures, such as Si emitter with Ge base or Si emitter with SiGe base, are required

چکیده

مقالات تازه انتشار یافته بیان کرده اند که ترانزیستورهای دوقطبی جانبی متقارن با روش ساخت مبتنی بر نیمه هادی روی عایق (SOI) به لحاظ پروسه ساخت قابل مقایسه با CMOS می باشد و به دلیل داشتن جریان راه اندازی بسیار بالاتر (5 تا 10 برابر) نسبت به ترانزیستورهای CMOS می توانند نسبت به آنها در طیف گسترده تری کاربرد داشته باشد. هنگامی که این ترانزیستورها در مدارهای دوقطبی رایج استفاه می شود، ترانزیستور دوقطبی SOI اتلاف توان کمتر و/یا حداکثر سرعت بیشتری از خود نشان می دهند. با در نظر گرفتن ویژگی های قابل مقایسه ترانزیستورهای NPN و PNP، ترانزیستور دوقطبی جانبی SOI، امکان استفاده از مدارات دوقطبی مکمل (CBipolar) در پیکربندی آنالوگ به جای CMOS را پیشنهاد می کند. در این تحقیق، عملکرد مدارات متشکل از CBipolar در برابر اتلاف توان آن با استفاده از معادلات تحلیلی سنجیده می شود. نشان داده می شود که برای اینکه CBipolar به لحاظ عملکرد و اتلاف توان نسبت به CMOS دارای عملکرد بهتری باشد، ساختارهای با پیوند متفاوت دارای بیس با گاف باریک مانند امیتر سیلیکونی با بیس ژرمانیمی یا امیتر سیلیکونی با بیس سیلیکون ژرمانیمی مورد نیاز است.

1-مقدمه

ایده ساخت یک ترانزیستور دوقطبی با ساختار سیلیکون روی عایق جانبی متقارن با اتصال بیس خود تراز قرار گرفته در بالای ناحیه داخلی بیس و عرض بیس در حدود 2 میکرومتر، برای اولین بار در حدود حدود 30 سال پیش ارائه شد. با قابلیت لیتوگرافی کنونی 22 نانومتر در زمینه تولید قطعات، امکان ساخت ترانزستورهای دوقطبی جانبی Si-OI PNP و NPN با عرض بیس بسیار کمتر از 100 نانومتر با استفاده از پروسه های مشابه ساخت CMOS فراهم می باشد. داده های اندازه گیری شده نشان می دهند که ادوات دوقطبی جانبی Si جریان راه اندازای بسیار بالاتری نسبت به CMOS دارند، در حالیکه مطالعات بر روی مدل بیان می کند که آنها در ابعاد جانبی مانند CMOS مقیاس پذیر بوده و می توانند fmax>1THz داشته باشند...


موسسه ترجمه البرز اقدام به ترجمه مقاله " مهندسی برق " با موضوع " آشنایی با ترانزیستورهای دوقطبی جانبی متقارن بر مبنای SOI به عنوان یک تکنولوژی منطقی دوقطبی مکمل " نموده است که شما کاربر عزیز می توانید پس از دانلود رایگان مقاله انگلیسی و مطالعه ترجمه چکیده و بخشی از مقدمه مقاله، ترجمه کامل مقاله را خریداری نمایید.
عنوان ترجمه فارسی
آشنایی با ترانزیستورهای دوقطبی جانبی متقارن بر مبنای SOI به عنوان یک تکنولوژی منطقی دوقطبی مکمل
نویسنده/ناشر/نام مجله :
IEEE Journal of the Electron Devices Society
سال انتشار
2015
کد محصول
1009663
تعداد صفحات انگليسی
12
تعداد صفحات فارسی
39
قیمت بر حسب ریال
955,000
نوع فایل های ضمیمه
Pdf+Word
حجم فایل
12 کیلو بایت
تصویر پیش فرض


این مقاله ترجمه شده را با دوستان خود به اشتراک بگذارید
سایر مقالات ترجمه شده مهندسی برق , فیزیک را مشاهده کنید.
کاربر عزیز، بلافاصله پس از خرید مقاله ترجمه شده مقاله ترجمه شده و با یک کلیک می توانید مقاله ترجمه شده خود را دانلود نمایید. مقاله ترجمه شده خوداقدام نمایید.
جهت خرید لینک دانلود ترجمه فارسی کلیک کنید
جستجوی پیشرفته مقالات ترجمه شده
برای کسب اطلاعات بیشتر، راهنمای فرایند خرید و دانلود محتوا را ببینید
هزینه این مقاله ترجمه شده 955000 ریال بوده که در مقایسه با هزینه ترجمه مجدد آن بسیار ناچیز است.
اگر امکان دانلود از لینک دانلود مستقیم به هر دلیل برای شما میسر نبود، کد دانلودی که از طریق ایمیل و پیامک برای شما ارسال می شود را در کادر زیر وارد نمایید


این مقاله ترجمه شده مهندسی برق در زمینه کلمات کلیدی زیر است:





CBipolar
Complementary bipolar
SOI bipolar
symmetric lateral bipolar

تاریخ انتشار در سایت: 2016-12-26
جستجوی پیشرفته مقالات ترجمه شده

خدمات ترجمه تخصصی و ویرایش مقاله مهندسی برق در موسسه البرز

نظرتان در مورد این مقاله ترجمه شده چیست؟

ثبت سفارش جدید