کاربر گرامی Skip Navigation Links

پیش از اقدام به خرید ترجمه فارسی می توایند نسخه انگلیسی را به صورت رایگان دانلود و بررسی نمایید. متن چکیده و ترجمه آن در پایین همین صفحه قابل مشاهده است.
دانلود رایگان مقاله انگلیسی
گروه ترجمه تخصصی البرز اقدام به ترجمه مقاله " فیزیک " با موضوع " روش رسوبگیری بخار شیمیایی فلز آلی در نانوسیم های GaN با سطح مقطع های مثلثی " نموده است که شما کاربر گرامی می توانید پس از دانلود رایگان مقاله انگلیسی و مطالعه ترجمه چکیده و بخشی از مقدمه مقاله، ترجمه کامل مقاله را خریداری نمایید.
عنوان مقاله انگليسي

Metalorganic Chemical Vapor Deposition Route to GaN Nanowires with Triangular Cross Sections

نویسنده/ناشر/نام مجله :
NANO LETTERS
سال انتشار
2003
کد محصول
1000168
تعداد صفحات انگليسي
4
تعداد صفحات فارسي
11
قیمت بر حسب ریال
90000
نوع فایل های ضمیمه
Pdf+Word
حجم فایل
1 مگا بایت
تصویر پیش فرض




Abstarct

High-quality gallium nitride nanowires have been synthesized via metal-initiated metalorganic chemical vapor deposition for the first time. Excellent substrate coverage was observed for wires prepared on silicon, c-plane, and a-plane sapphire substrates. The wires were formed via the vapor-liquid-solid mechanism with gold, iron, or nickel as growth initiators and were found to have widths of 15-200 nm. Transmission electron microscopy confirmed that the wires were single-crystalline and were oriented predominantly along the [210] or [110] direction. Wires growing along the [210] orientation were found to have triangular cross-sections. Transport measurements confirmed that the wires were n-type and had electron mobilities of   Photoluminescence measurements showed band edge emission at 3.35 eV (at 5 K), with a marked absence of low-energy emission from impurity defects

چکیده

نانوسیم های نیترید گالیوم با کیفیت بالا از طریق رسوب گیری بخار شیمیایی فلز آلی برای نخستین بار سنتز شده اند. پوشش بستری عالی برای سیم های تهیه شده روی زیرلایه های یاقوت کبود صفحه a، صفحه c و سیلیکون مشاهده شد. سیم ها از طریق مکاینزم بخار – مایع – جامد با اغازکننده های رشد از جنس طلا، آهن و نیکل شکل یافتند و پهنای آنها 15-200 nm بود. TEM نشان داد که سیم ها تک کریستالی بوده و اغلب در جهت [210]  یا  [110] قرار داشتند. رشد سیم های در راستای [210] دارای سطح مقطع های مثلثی شکل بود. اندازه گیری های ترابردی ثابت کرد که سیم ها از نوع n و تحرک الکترون برابر حدود 65 cm2/V.s بود. اندازه گیری نورتابی نشر لبه باند را در 3.35 eV (at 5 K) همراه با عدم نشر قابل توجه در محدوده کم انرژی ناشی از نقوص ناخالصی را ثابت کرد.

1-مقدمه 

نانوساختارهای نیمرسانای یک بعدی تک کریستالی توجه بسیاری را بعنوان بلوک های سازنده نانوفناوری آینده به خود جلب کرده اند. نیترید گالیوم یک نیمرسانای قوی با گاف انرژی پهن است. به دلیل نقطه ذوب بالا، تحرک حامل زیاد و میدان شکست الکتریکی زیاد، این عنصر یک کاندید خوب برای استفاده در دستگاه های اپتوالکترونیکی توان بالا و بازده بالا به شمار می رود.  نانوتیوب ها و نانوسیم های نیترید گالیوم نوید تحقق نانودستگاه های بیولوژیکی و فوتونیکی نظیر دیودهای گسیلنده نور آبی (LEDs)، نانولیزرهای فرابنفش با طول موج کوتاه و سنسورهای بیوشیمیایی نانوسیالی را می دهند.
در واقع همه طرح های سنتزی گزارش شده برای نانوسیم های مبتنی بر GaN تا امروز از ساییدگی لیزری، انتقال بخار شیمیایی یا اپیتکسی بخار هیدرید استفاده کرده اند. اغلب این فرآیندها از فلز Ga بعنوان منبع بخار دمای بالا استفاده می کنند. فلزاتی نظیر Ni, Fe,  و  Au بعنوان اغاز کننده برای رشد نانوسیم بخار – مایع – جامد (VLS) استفاده کرده اند گرچه VLS خودکاتالیست یا یک فرآیند بخار – جامد مستقیم نیز می تواند نانوسیم ها در این سیستم را تولید نماید استفاده از یک منبع Ga جامد گرچه از نظر تکنیکی ساده است ولی اغلب به فشار بخار غیرثابت و ناپیوسته می انجامد و پیاده سازی ان در یک راکتور جریان پیوسته دشوار است. با اینکه رشد فیلم های نازک GaN اغلب از فرآیند رسوبگیری بخار شیمیایی فلز آلی (MOCVD) بهره می گیرد، تاکنون هیچ گزارشی مبنی بر رشد VLS نانوسیم های GaN با استفاده از MOCVD وجود نداشته است...


خدمات ترجمه و ویرایش گروه ترجمه تخصصی البرز برای رشته فیزیک