کاربر گرامی Skip Navigation Linksشما اینجا هستید -> صفحه اصلی > معرفی > دانلود مقالات ترجمه شده > خرید و دانلود

پیش از اقدام به خرید ترجمه فارسی می توایند نسخه انگلیسی را به صورت رایگان دانلود و بررسی نمایید. متن چکیده و ترجمه آن در پایین همین صفحه قابل مشاهده است.
دانلود رایگان مقاله انگلیسی
گروه ترجمه تخصصی البرز اقدام به ترجمه مقاله " فیزیک " با موضوع " مکانیزم رشد نانوتیوب های کربنی تک دیواره طویل با استفاده از فرآیند رسوب گیری بخار شیمیایی "سریع گرم کن" " نموده است که شما کاربر گرامی می توانید پس از دانلود رایگان مقاله انگلیسی و مطالعه ترجمه چکیده و بخشی از مقدمه مقاله، ترجمه کامل مقاله را خریداری نمایید.
عنوان مقاله انگليسي

Growth Mechanism of Oriented Long Single Walled Carbon Nanotubes Using “Fast-Heating” Chemical Vapor Deposition Process

نویسنده/ناشر/نام مجله :
NANO LETTERS
سال انتشار
2004
کد محصول
1000171
تعداد صفحات انگليسي
4
تعداد صفحات فارسي
8
قیمت بر حسب ریال
90000
نوع فایل های ضمیمه
Pdf+Word
حجم فایل
636 کیلو بایت
تصویر پیش فرض




Abstarct

The growth mechanism of long and aligned single walled carbon nanotubes using a recently reported “fast heating” chemical vapor deposition (CVD) method is discussed. The effect of heating speed at the initial stage of the CVD process has been systematically studied, and a “kite-mechanism” for the nanotube growth is proposed. The understanding of the growth mechanism would enable us to design future experiments to obtain better control of the morphology of the produced nanotubes

چکیده

مکانیزم رشد نانوتیوب های کربنی تک دیواره طویل و ترازمند با استفاده از یک روش اخیرا گزارش شده به نام رسوبگیری بخار شیمیایی (CVD) با "حرارت دهی سریع" بحث می شود. اثر سرعت حرارت دهی در مرحله اولیه فرآیند CVD بطور سیتماتیک بررسی شده است و یک مکانیزم کایت (kite) برای رشد نانوتیوب پیشنهاد می شود. درک مکانیزم رشد ما را قادر می سازد تا آزمایشات آینده را طراحی کرده و کنترل بهتری را از موفولوژی نانوتیوب های تولید شده به دست بیاورد.

1-مقدمه

رشد نانوتیوب های کربنی تک دیواره منفرد طویل (مقیاس nm تا cm)(SWNTs) با جهتگیری کنترل شده با استفاده از روش رسوبگیری بخار شیمیایی با حرارت دهی سریع، تاثیرات مهمی را برای کاربردهای آینده در نانوالکترونیک و مواد کامپوزیت بسیار مقاوم خواهد داشت. نتایج نه تنها کنترل جهتگیری نانوتیوب های منفرد روی یک زیرلایه را با استفاده از  جریان گاز تغذیه کننده نشان می دهد، بلکه آنها نشان می دهند که نانوتیوب ها می توانند تحت شرایط مناسب در طول میکروسکوپیک رشد داده شوند. برای کاربرد در نانوالکترونیک، قابلیت کنترل محل و جهت نانوتیوب های منفرد شرط مهمی برای تولید دستگاه ها در مقیاس بزرگ دارد در حالی که برای مواد کامپوزیت بسیار مقاوم، طول زیاد هر نانوتیوب منفرد، انتقال بار بین نانوتیوب ها و ماتریس ها را بهبود خواهد داد. با این همه در گزارش های قبل، مبدا ترازمندی و طول زیاد بوضوح مشخص نشده بود. به دیت اوردن دیدگاه ها درباره مکانیزم رشد این نانوتیوب های طویل اهمیت علمی و فنی در طراحی آزمایشات آتی برای نیل به کنترل بهتر زشد نانوتیوب دارد. در مقایسه با روش های متداول رسوبگیری بخار شیمیایی که نانوتیوب های با جهات تصادفی و کوتاه تر تولید می کنند، گاز تغذیه کننده، کاتالیست ها و بسیاری از شرایط آزمایشی دیگر در CVD با حرارت دهی سریع، مشابه هستند...


خدمات ترجمه و ویرایش گروه ترجمه تخصصی البرز برای رشته فیزیک