Skip Navigation Linksلیست مقالات ترجمه شده / خرید و دانلود
1,265,000

پیش از اقدام به خرید ترجمه فارسی می توایند نسخه انگلیسی را به صورت رایگان دانلود و بررسی نمایید. متن چکیده و ترجمه آن در پایین همین صفحه قابل مشاهده است.
دانلود رایگان مقاله انگلیسی
موسسه ترجمه البرز اقدام به ترجمه مقاله " مهندسی برق " با موضوع " فرکانس های انتقال و مقاومت منفی سلول میانگیر CMOS با پایانه قیاسی و کاربرد در MMW LC VCO " نموده است که شما کاربر عزیز می توانید پس از دانلود رایگان مقاله انگلیسی و مطالعه ترجمه چکیده و بخشی از مقدمه مقاله، ترجمه کامل مقاله را خریداری نمایید.
عنوان ترجمه فارسی
فرکانس های انتقال و مقاومت منفی سلول میانگیر CMOS با پایانه قیاسی و کاربرد در MMW LC VCO
نویسنده/ناشر/نام مجله :
Active and Passive Electronic Components
سال انتشار
2010
کد محصول
1000888
تعداد صفحات انگليسی
11
تعداد صفحات فارسی
39
قیمت بر حسب ریال
1,265,000
نوع فایل های ضمیمه
pdf+word
حجم فایل
2 مگا بایت
تصویر پیش فرض



چکیده

این مقاله فرکانس های انتقال (ftrans­­) یک میانگیر تابع منبع CMOS با پایانه قیاسی را برای رفتار مقاومت منفی مورد بررسی قرار می دهد که در آن، مقاومت موازی موثر رسیده به منبع سلول میانگیر تغییر علامت می دهد. فرکانس های نوسان محدود ممکن، بر اساس تشدیدکننده های تشکیل شده از یک القاگر گیت  متصل به زمین و یک ظرفیت پارازیتی در گیت سلول میانگیر مقاومت منفی تعیین می شوند. محدوده فرکانس های نوسان این سلول میانگیر مقاومت منفی برای تغییرات در پارامترها/المان های مداری مختلف، استخراج شده است. پیرو آن، یک نوسانگر موج  میلی متری (MMW) با استفاده از فن آوری پردازش IBM 130 nm CMOS که می تواند در 70 مگا هرتز عمل کند، شبیه سازی شده است. مدل MOSFET فرکانس – بالا برای این شبیه سازی استفاده شده بود. سلول باید اتلاف توان بی نهایت کوچک کم تر از 3 میلی وات داشته باشد. شبیه سازی های مونته کارلو گسترده برای تحلیل توانایی ساخت با فرض تغییر بیش از 50% در پردازش و پارامترهای هندسی، ولتاژ منبع، و دمای محیط انجام شد. تحلیل پارازیت و یک تخمین شبیه سازی شده پارازیت فازی در کاربرد MMW LC VCO  گزارش شده است.
فهرست مطالب

1-مقدمه

2-فرکانس های انتقال و مقاومت منفی سلول میانگیر CMOS

3-ملاحظات پارازیت فازی در سلول میانگیر مقاومت منفی

4-نتایج شبیه سازی SPICE

5- نتیجه

1-مقدمه

توسعه­ی سیستم های ارتباطی میکروموجی پیش رفته مقرون به صرفه با استفاده از نوسانگر های موج میلی متری (MMW) ، یا نوسانگرهای با ولتاژ کنترل شده MMW (VCOs) در فن آوری های پردازش CMOS حجمی غیر متریک کم هزینه، از مهمترین علاقه مندی ها در کمیته تحقیق طراحی مدار و نیمه رسانا است. طراحی نوسانگر های MMW و VCO ها در نیمه رساناهای مرکب III – V و دستگاه های ناهمگون [1-4] طی سال های بسیار، گزارش شده است، اما در موارد اخیر، تلاش وسیعی بر به کار گیری CMOS MMW متمرکز شده است [5-8]. در این خصوص، پژوهش رفتار فرکانس – بالا و بیشینه فرکانس نوسان ممکن سلول مقاومت منفی CMOS تعیین کننده است زیرا دستگاه های CMOS فرکانس بهره - واحد (fT) ذاتاً کمتری در مقایسه با FET نیمه رسانای مرکب III – V و دستگاه های Si – Ge HBT دارند. اخیراً وینسترا و وان در هایجن [9]، بیشینه فرکانس نوسان ممکن یک سلول مقاومت منفی را به صورت ftrans پیشنهاد کردند که به صورت فرکانسی که در آن، مقاومت منفی موثر سلول RX از منفی به مثبت تبدیل می شود، تعریف می شود...

میتوانید از لینک ابتدای صفحه، مقاله انگلیسی را رایگان دانلود فرموده و چکیده انگلیسی و سایر بخش های مقاله را مشاهده فرمایید.


خدمات ترجمه تخصصی و ویرایش مقاله مهندسی برق در موسسه البرز


ثبت سفارش جدید