چکیده
این مقاله طرحی را برای یک تقویت کننده کم نویز فوق پهن باند CMOS و با توان کم ارائه می دهد که از یک تکنیک حذف نویز با فرآیند TSMC 0.18 μm RF استفاده می کند. UWB LNA پیشنهادی از یک ساختار استفاده دوباره از جریان استفاده می کند تا به جای استفاده از یک طبقه آبشاری، مصرف توان کل را کاهش دهد. این ساختار، همان مقدار جریان DC برای اجرای همزمان دو ترانزیستور را مصرف می کند. تکنیک تنظیم یک در میان که برای دستیابی به یکنواختی بهره در فرکانس مورد نظر گزارش شده است تا نقاط فرکانس تشدیدی پایین و بالا را روی کل پهنای باند از 3.1 تا 10.6 GHz داشته باشیم. نقاط تشدید در 3 GHz تا 10 GHz تنظیم شدند تا یکنواختی بهره کافی و اتلاف بازتابشی (برگشتی) را موجب شوند. بعلاوه، تکنیک حذف نویز برای حذف منبع غالب نویز استفاده شدند که توسط اولین ترانزیستور تولید می شوند. نتایج شبیه سازی یک بهره تخت و یکنواخت (S21 > 10 dB) را با یک تطبیق امپدانس ورودی خوب کمتر از -10 dB و نیز یک مینیمم رقم نویز 2.9 dB را روی کل باند نشان می دهند. UWB LNA پیشنهادی، 15.2 mW از یک منبع توان 1.8 V را مصرف می کند.
1-مقدمه
اخیرا سیستم های فوق پهن باند در کاربردهای ارتباط بیسیم محبوب گشته اند. چون کمیسیون ارتباطات فدرال (FCC)، پهنای باند 7.5 GHz از دامنه طیفی 3.1 تا 10.6 GHz را برای فوق پهن باند در سال 2002 منتشر ساخته است (1). بعنوان دلایل ضروری برای استفاده از سیستم های UWB، آن سطح توان اندک (حد تا -41.3 dBm/MHz) و نرخ داده بالایی (تا 480 Mb/s) را برای ارتباطات بیسیم فراهم می کند. تقویت کننده کم نویز UWB ملزوماتی دارد چون پهنای باند ورودی کافی/اتلاف بازگشتی خروجی، بهره تخت کافی روی کل پهنای باند 7.5 GHz، رقم نویز پایین برای حساسیت، مصرف توان کم برای تحرک و یک مساحت تراشه کم برای هزینه کم....
میتوانید از لینک ابتدای صفحه، مقاله انگلیسی را رایگان دانلود فرموده و چکیده انگلیسی و سایر بخش های مقاله را مشاهده فرمایید