دانلود مقاله ترجمه شده مهندسی برق با موضوع طراحی تقویت کننده کم نویز، فوق پهن باند CMOS و با توان مصرفی کمتر با استفاده از تکنیک حذف نویز

عنوان مقاله انگليسي

Design of low power CMOS ultra wide band low noise amplifier using noise canceling technique



نویسنده/ناشر/نام مجله :
MicroelectronicsJournal
سال انتشار
2013
کد محصول
1001018
تعداد صفحات انگليسي
6
تعداد صفحات فارسي
9
قیمت بر حسب ریال
100000
نوع فایل های ضمیمه
pdf+word
حجم فایل
2 مگا بایت
تصویر پیش فرض


عنوان ترجمه فارسي

طراحی تقویت کننده کم نویز، فوق پهن باند CMOS و با توان مصرفی کمتر با استفاده از تکنیک حذف نویز




شما در حال خرید ترجمه فارسی مقاله Design of low power CMOS ultra wide band low noise amplifier using noise canceling technique هستید:


نام و نام خانوادگی
*


تلفن همراه
*
 


ایمیل
*



دانلود رایگان مقاله انگلیسی


Abstract

This paper presents a design of a low power CMOS ultra-wideband (UWB) low noise amplifier (LNA) using a noise canceling technique with the TSMC 0.18 μm RF CMOS process. The proposed UWB LNA employs a current-reused structure to decrease the total power consumption instead of using a cascade stage. This structure spends the same DC current for operating two transistors simultaneously. The stagger-tuning technique, which was reported to achieve gain flatness in the required frequency, was adopted to have low and high resonance frequency points over the entire bandwidth from 3.1 to 10.6 GHz. The resonance points were set in 3 GHz and 10 GHz to provide enough gain flatness and return loss. In addition, the noise canceling technique was used to cancel the dominant noise source, which is generated by the first transistor. The simulation results show a flat gain (S21410 dB) with a good input impedance matching less than –10 dB and a minimum noise figure of 2.9 dB over the entire band. The proposed UWB LNA consumed 15.2 mW from a 1.8 V power supply

چکیده

این مقاله طرحی را برای یک تقویت کننده کم نویز فوق پهن باند CMOS و با توان کم ارائه می دهد که از یک تکنیک حذف نویز با فرآیند TSMC 0.18 μm RF  استفاده می کند. UWB LNA پیشنهادی از یک ساختار استفاده دوباره از جریان استفاده می کند تا به جای استفاده از یک طبقه آبشاری، مصرف توان کل را کاهش دهد.  این ساختار، همان مقدار جریان DC برای اجرای همزمان دو ترانزیستور را مصرف می کند. تکنیک تنظیم یک در میان که برای دستیابی به یکنواختی بهره در فرکانس مورد نظر گزارش شده است تا نقاط فرکانس تشدیدی پایین و بالا را روی کل پهنای باند از 3.1 تا 10.6 GHz داشته باشیم. نقاط تشدید در 3 GHz تا 10 GHz تنظیم شدند تا یکنواختی بهره کافی و اتلاف بازتابشی (برگشتی) را موجب شوند. بعلاوه، تکنیک حذف نویز برای حذف منبع غالب نویز استفاده شدند که توسط اولین ترانزیستور تولید می شوند. نتایج شبیه سازی یک بهره تخت و یکنواخت (S21 > 10 dB) را با یک تطبیق امپدانس ورودی خوب کمتر از -10 dB و نیز یک مینیمم رقم نویز 2.9 dB را روی کل باند نشان می دهند. UWB LNA پیشنهادی،  15.2 mW از یک منبع توان 1.8 V را مصرف می کند.

1-مقدمه

اخیرا سیستم های فوق پهن باند در کاربردهای ارتباط بیسیم محبوب گشته اند. چون کمیسیون ارتباطات فدرال (FCC)، پهنای باند 7.5 GHz از دامنه طیفی 3.1 تا 10.6 GHz را برای فوق پهن باند در سال 2002 منتشر ساخته است (1). بعنوان دلایل ضروری برای استفاده از سیستم های UWB، آن سطح توان اندک (حد تا -41.3 dBm/MHz) و نرخ داده بالایی (تا 480 Mb/s) را برای ارتباطات بیسیم فراهم می کند. تقویت کننده کم نویز UWB ملزوماتی دارد چون پهنای باند ورودی کافی/اتلاف بازگشتی خروجی، بهره تخت کافی روی کل پهنای باند 7.5 GHz، رقم نویز پایین برای حساسیت، مصرف توان کم برای تحرک و یک مساحت تراشه کم برای هزینه کم.

تقویت کننده توزیعی، مشخصات پهن باند ، خطی بودن خوب و تطبیق ورودی /خروجی کافی را به دست می دهد (2و3). از طرف دیگر، آن یک جریان DC بزرگ را مصرف می کند تا طبقات چند تقویت کننده را راه بیاندازند و مساحت تراشه بزرگی را اشغال می کند. تقویت کننده فیدبک مقاومت موازی برای UWB LNA استفاده می شود (4) که چند صد مقاومت فیدبک دارد که پهنای باند را گسترش می دهد. از طرف دیگر، معمولا به دلیل پیک مقاومت فیدبک در نزدیک طبقه ورودی، شکل نویز افت می کند. فیلتر غیرفعال نیز برای طراحی UWB LNA استفاده شد (5). این فیلتر یک مشخصه تطبیق ورودی پهن دارد. از طرف دیگر، آن نیازمند برخی اجزا است نظیر یک القاگر که این خود نیازمند تراشه ای با اندازه بزرگ است. طبقه گیت مشترک در اولین توپولوژی در حال حاضر برای طراحی یک تقویت کننده پهن باند استفاده می شود (به دلیل امپدانس ورودی پهن باند ثابت 1/gm)(6). از طرف دیگر، طبقه گیت – مشترک عملکرد نویز ضعیفی دارد. به این دلیل، تکنیک حذف نویز با طبقه گیت مشترک پیاده سازی شده است (7-10) ، ولی مصرف توان بزرگی را دارد تا نویز کم، بهره کافی و ویژگی های تطبیق پهن باندی را به دست آورد....



این مقاله ترجمه شده مهندسی برق در زمینه کلمات کلیدی زیر است:
طراحی تقویت کننده کم نویز
طراحی تقویت کننده فوق پهن باند CMOS


Skip Navigation Links
ناحیه کاربری

 
 

وارد شوید


دانلود فایل
دانلود مقالات ترجمه شده

مقالات ترجمه شده فنی مهندسی

مهندسی فناوری اطلاعات مهندسی برق مهندسی عمران مهندسی كامپيوتر مهندسي شيمی
مهندسی مکانیک مهندسی صنايع مهندسی پليمر مهندسی پزشکی مهندسی نفت
مهندسی معدن مهندسی مواد مهندسی شهرسازی مهندسي نساجی مهندسی هوافضا
مهندسی ایمنی صنعتی مهندسی اپتیک و لیزر

مقالات ترجمه شده علوم انسانی

حسابداری مديريت روانشناسی حقوق علوم اقتصادی
تربيت بدنی و علوم ورزشی علوم تربيتی فلسفه علوم ارتباطات اجتماعی مديريت جهانگردی
مديريت اجرايی تاريخ علوم سياسی علوم اجتماعی علوم جغرافيايی
مجموعه محيط زيست باستان شناسی زبانشناسی مطالعات جهان الهیات و معارف اسلامی

مقالات ترجمه شده علوم پایه

زيست شناسی شيمی فیزیک رياضی زمين شناسی
آمار ژئوفيزيك و هواشناسی نانوفناوری

مقالات ترجمه شده علوم پزشکی

پزشكی بيوتكنولوژی پرستاری داروسازی علوم آزمايشگاهی
دامپزشكی دندانپزشكی

مقالات ترجمه شده کشاورزی

مجموعه مهندسی كشاورزی مجموعه مهندسی منابع طبيعی

مقالات ترجمه شده هنر

معماری معماری داخلی
تماس با ما

آدرس دفتر تهران

خیابان ولیعصر، زرتشت غربی، بعد از بیمارستان مهر، پلاک 86 واحد 3
تلفن تماس 02188972928
مدیریت گروه 09124677115
مدیریت فناوری اطلاعات
09124648967
آدرس دفتر کرج
البرز - نظرآباد - الغدیر جنوبی، کوچه غدیر 4 (کوچه شهید بذرپاچ) ساختمان ستاره طبقه چهارم پلاک 6
تلفن تماس 02645344101
دعوت به همکاری