Skip Navigation Linksلیست مقالات ترجمه شده / خرید و دانلود
764,500

پیش از اقدام به خرید ترجمه فارسی می توایند نسخه انگلیسی را به صورت رایگان دانلود و بررسی نمایید. متن چکیده و ترجمه آن در پایین همین صفحه قابل مشاهده است.
دانلود رایگان مقاله انگلیسی
موسسه ترجمه البرز اقدام به ترجمه مقاله " مهندسی برق " با موضوع " یک OTA CMOS 0.5 ولت، 900 میکرو وات با استفاده از بالک درایون(تحریک بدنه) و تکنیک جبرانسازی هیبرید " نموده است که شما کاربر عزیز می توانید پس از دانلود رایگان مقاله انگلیسی و مطالعه ترجمه چکیده و بخشی از مقدمه مقاله، ترجمه کامل مقاله را خریداری نمایید.
عنوان ترجمه فارسی
یک OTA CMOS 0.5 ولت، 900 میکرو وات با استفاده از بالک درایون(تحریک بدنه) و تکنیک جبرانسازی هیبرید
نویسنده/ناشر/نام مجله :
Majlesi Journal of Telecommunication Devices
سال انتشار
2014
کد محصول
1005929
تعداد صفحات انگليسی
5
تعداد صفحات فارسی
14
قیمت بر حسب ریال
764,500
نوع فایل های ضمیمه
Pdf+Word
حجم فایل
525 کیلو بایت
تصویر پیش فرض




Abstract

An ultra-low-voltage ultra-low-power operational transconductance amplifier (OTA) is presented in this paper. The proposed topology based on a bulk driven input differential pair. Two separate capacitors have been used for compensation of the opamp where one of them is used in a signal path and another one in a non-signal path. The circuit is designed in the 0.18µm CMOS technology. The simulation results show that the amplifier has a 84.1dB open-loop DC gain and a unity gain-bandwidth of 81 KHz while operating at 0.5V supply voltage. The total power consumption is as low as 900nW which makes it suitable for low-power bio-medical applications

چکیده

یک تقویت کننده ترانسکنداکتانس عملیاتی (OTA) توان، ولتاژ خیلی کم در این مقاله ارائه شده است. توپولوژی پیشنهادی بر اساس زوج دیفرانسیلی ورودی بالک درایون می باشد. دو خازن مجزا برای جبرانسازی اپ امپ استفاده شده که یکی از آن‌ها در مسیر سیگنال استفاده شده و دیگری در مسیر بدون سیگنال استفاده شده است. مدار در تکنولوژی CMOS 0.18 میکرومتر طراحی می‌شود. نتایج شبیه سازی نشان می‌دهد که تقویت کننده، گین dc حلقه باز 84.1 دسی بل دارد و پهنای باند گین واحد KH81 زمانی که  در ولتاژ تغذیه V 0.5 عمل می‌کند. توان مصرفی برآیند 900 نانو وات است که تقویت کننده را برای کاربردهای    biomedicalتوان کم مناسب می‌سازد.

1-مقدمه

همانطوری که سایز پروسه‌های CMOS کاهش می‌یابد، ماکزیمم منبع توان قابل استفاده به صورت مستمر کاهش می‌یابد. مانع اصلی در اجرای مدارات CMOS ولتاژ پایین، ولتاژ آستانه است که به همان نسبتی که منبع توان کاهش می یابد، کم نمی‌شود. برای مقابله با این تعارض بدون نیاز به توسعه تکنولوژی‌های CMOS گران با ولتاژهای آستانه پایین، تکنیک‌های طراحی مدار جدید باید توسعه داده شوند که با تکنولوژی های CMOS در آینده سازگار است...


خدمات ترجمه تخصصی و ویرایش مقاله مهندسی برق در موسسه البرز


این مقاله ترجمه شده مهندسی برق در زمینه کلمات کلیدی زیر است:




Ultra Low Power
Ultra Low Voltage
Operational Transconductance Amplifier

ثبت سفارش جدید