Skip Navigation Linksلیست مقالات ترجمه شده / خرید و دانلود
841,500

پیش از اقدام به خرید ترجمه فارسی می توایند نسخه انگلیسی را به صورت رایگان دانلود و بررسی نمایید. متن چکیده و ترجمه آن در پایین همین صفحه قابل مشاهده است.
دانلود رایگان مقاله انگلیسی
موسسه ترجمه البرز اقدام به ترجمه مقاله " مهندسی برق " با موضوع " یک گیت حداقل کارآمد با هفت ورودی مبتنی بر CNTFET " نموده است که شما کاربر عزیز می توانید پس از دانلود رایگان مقاله انگلیسی و مطالعه ترجمه چکیده و بخشی از مقدمه مقاله، ترجمه کامل مقاله را خریداری نمایید.
عنوان ترجمه فارسی
یک گیت حداقل کارآمد با هفت ورودی مبتنی بر CNTFET
نویسنده/ناشر/نام مجله :
International Journal of VLSI design & Communication Systems
سال انتشار
2013
کد محصول
1009815
تعداد صفحات انگليسی
9
تعداد صفحات فارسی
12
قیمت بر حسب ریال
841,500
نوع فایل های ضمیمه
Pdf+Word
حجم فایل
524 کیلو بایت
تصویر پیش فرض



Abstract

Complementary metal oxide semiconductor technology (CMOS) has been faced critical challenges in nanoscale regime. CNTFET (Carbon Nanotube Field effect transistor) technology is a promising alternative for CMOS technology. In this paper, we proposed a novel 7-input minority gate in CNTFET technology that has only 9 CNTFETs. Minority function is utilized in the voting systems for decision making and also it is used in data mining. This proposed 7-input minority gate is utilized less fewer transistors than the conventional CMOS method which utilizes many transistors for implementing sum of products. By means of this proposed 7-input minority gate, a 4-input NAND gate can be implemented, which gets better the conventional design in terms of delay and energy efficiency and has much more deriving power at its Output

چکیده

فناوری نیمه هادی اکسید فلز مکمل (CMOS) در ابعاد نانو با چالش های بحرانی مواجه شده است. فناوری CNTFET (ترانزیستور اثر میدان نانو لوله کربنی) یک جایگزین پرآتیه برای فناوری CMOS است. در این مقاله، یک گیت حداقل با هفت ورودی مدرن در فناوریCNTFET ارائه شده است که تنها 9 CNTFET دارد. تابع حداقل در سیستم های رای گیری برای تصمیم گیری و در سیستم های داده  کاوی استفاده می شود. این گیت حداقل با هفت ورودی که در اینجا ارائه شده است تعداد ترانزیستور کمتری در مقایسه با روشCMOS متداول که از تعداد زیادی ترانزیستور برای پیاده سازی جمع حاصلظرب بهره می گیرد، استفاده می کند. با استفاده از این گیت ارائه شده، می توان یک گیت NAND 44 ورودی را پیاده سازی کرد، که در مقایسه با طراحی متداول از نظر تاخیر و بازده انرژی بهتر است و توان راه اندازی بالاتری در خروجی دارد.

1-مقدمه

همانطور که Gordon Moore در 1965 پیش بینی کرد، تعداد ترانزیستورهای روی تراشه های هر 18 ماه دو برابر می شود [1]. بنابراین، برای قراردادن تعداد بیشتری روی تراشه ها، باید بتوان حداقل طول ترانزیستورها را کاهش داد. CMOS دیگر برای ابعاد نانو مناسب نیست. با کوچک کردن حداقل اندازه طول فناوری CMOS،  چالش های بسیاری به وجود می آیند. محدودیت های لیتوگرافی، تغییرات پارامتری شدید و چگالی توان بالا برخی از این چالش ها هستند...


خدمات ترجمه تخصصی و ویرایش مقاله مهندسی برق در موسسه البرز


این مقاله ترجمه شده مهندسی برق در زمینه کلمات کلیدی زیر است:




Nanoelectronics
minority function
cntfet technology

ثبت سفارش جدید