Skip Navigation Linksلیست مقالات ترجمه شده / خرید و دانلود
1,040,950

پیش از اقدام به خرید ترجمه فارسی می توایند نسخه انگلیسی را به صورت رایگان دانلود و بررسی نمایید. متن چکیده و ترجمه آن در پایین همین صفحه قابل مشاهده است.
دانلود رایگان مقاله انگلیسی
موسسه ترجمه البرز اقدام به ترجمه مقاله " مهندسی برق " با موضوع " ساختار اتصال بدنۀ دیود تونلی برای MOSFET های SOI با کارائی بالا " نموده است که شما کاربر عزیز می توانید پس از دانلود رایگان مقاله انگلیسی و مطالعه ترجمه چکیده و بخشی از مقدمه مقاله، ترجمه کامل مقاله را خریداری نمایید.
عنوان ترجمه فارسی
ساختار اتصال بدنۀ دیود تونلی برای MOSFET های SOI با کارائی بالا
نویسنده/ناشر/نام مجله :
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
سال انتشار
2011
کد محصول
1010230
تعداد صفحات انگليسی
7
تعداد صفحات فارسی
22
قیمت بر حسب ریال
955,000
نوع فایل های ضمیمه
Pdf+Word
حجم فایل
2 مگا بایت
تصویر پیش فرض



Abstract

A tunnel diode body contact (TDBC) silicon-on-insulator (SOI) MOSFET structure without floating-body effects (FBEs) is proposed and successfully demonstrated. The key idea of the proposed structure is that a tunnel diode is embedded in the source region, so that the accumulated carriers can be released through tunneling. In an n-MOSFET, a heavily doped p+layer is introduced beneath the n+ source region. The simulated and measured results show the suppressed FBE, as expected. Other phenomena that originate from the FBEs, such as the kink, linear kink effect, abnormal subthreshold swing, and small drain-tosource breakdown voltage in the properties, were also sufficiently suppressed. In addition, it should be noted that the proposed SOI MOSFETs are fully laid out and process compatible with SOI CMOS. Hysteresis effects disappear in TDBC SOI MOSFETs, which makes them attractive for digital applications. On the other hand, in analog applications, TDBC SOI MOSFETs are shown to hold the advantage over floating-body SOI MOSFETs due to their higher Gm/ID ratio. TDBC SOI MOSFETs can be considered as one of the promising candidates for digital and analog devices

چکیده

ساختار اتصال بدنۀ دیود تونلی (TDBC) برای MOSFET سیلیکون روی عایق (SOI) بدون اثرات بدنۀ شناور (FBE) در این مقاله ارائه شده و با موفقیت مورد تایید قرار گرفته است. ایدۀ اصلی ساختار پیشنهادی این است که یک دیود تونلی در ناحیۀ سورس تعبیه شود تا حامل های انباشته بتوانند از طریق تونل زنی خارج شوند. در n-MOSFET، لایه ای که به شدت با +p دوپینگ شده است، در زیر ناحیۀ سورس +n قرار داده می شود. نتایج شبیه سازی و اندازه گیری نشان می دهند که FBE، همانطور که انتظار می رفت، حذف شده است. سایر پدیده های ناشی از FBE، مانند کینک، اثر خطی کینک، نوسان غیرطبیعی زیرآستانه، و ولتاژ شکست کوچک درین به سورس در قطعات نیز به اندازۀ کافی حذف شده اند. علاوه بر این، باید توجه داشت که طرح بندی و فرآیند MOSFET های SOI پیشنهادی کاملا سازگار با SOI CMOS می باشند. اثرات پسماند در MOSFET های TDBC SOI از بین می روند، این باعث می شود تا برای کاربردهای دیجیتال جذاب باشند. از طرف دیگر، نشان داده شده است که MOSFET های TDBC SOI در کاربردهای آنالوگ به علت نسبت DGm/I بالاتر خود، نسبت به MOSFET های SOI بدنۀ شناور برتری دارند. MOSFET های TDBC SOI را می توان به عنوان یکی از گزینه های نوید بخش برای قطعات دیجیتال و آنالوگ در نظر گرفت.

1-مقدمه

بهبود عملکرد فرکانس از طریق کاهش ظرفیت خازنی، جریان تحریک بالاتر، و کاهش طول اتصال از جمله مزایای قابل توجه استفاده از سیلیکون روی عایق (SOI) برای کاربردهای آنالوگ هستند. نویز و قفل شدگی از طریق کاهش تزویج زیر لایه به حداقل رسیده اند [1]. با این حال، نگرانی اصلی مربوط به اثرات بدنۀ شناور (FBE) در MOSFET های SOI تهی شدۀ جزئی (PD) ناشی از یونیزاسیون ضربه ای می باشد، که اثر کینک نامیده می شود [2]...


خدمات ترجمه تخصصی و ویرایش مقاله مهندسی برق در موسسه البرز


ثبت سفارش جدید