کاربر گرامی Skip Navigation Links

پیش از اقدام به خرید ترجمه فارسی می توایند نسخه انگلیسی را به صورت رایگان دانلود و بررسی نمایید. متن چکیده و ترجمه آن در پایین همین صفحه قابل مشاهده است.
دانلود رایگان مقاله انگلیسی
گروه ترجمه تخصصی البرز اقدام به ترجمه مقاله " فیزیک " با موضوع " رشد کنترل شده ی نانوسیم های GaN به وسیله رسوبگیری پالسی بخار شیمیایی فلز آلی " نموده است که شما کاربر گرامی می توانید پس از دانلود رایگان مقاله انگلیسی و مطالعه ترجمه چکیده و بخشی از مقدمه مقاله، ترجمه کامل مقاله را خریداری نمایید.
عنوان مقاله انگليسي

Controlled growth of GaN nanowires by pulsed metalorganic chemical vapor deposition

نویسنده/ناشر/نام مجله :
APPLIED PHYSICS LETTERS
سال انتشار
2005
کد محصول
1000169
تعداد صفحات انگليسي
3
تعداد صفحات فارسي
8
قیمت بر حسب ریال
70000
نوع فایل های ضمیمه
Pdf+Word
حجم فایل
622 کیلو بایت
تصویر پیش فرض



 
Abstarct

Controlled and reproducible growth of GaN nanowires is demonstrated by pulsed low-pressure metalorganic chemical vapor deposition. Using self-assembled Ni nanodots as nucleation sites on s0001d sapphire substrates we obtain nanowires of wurtzite-phase GaN with hexagonal cross sections, diameters of about 100 nm, and well-controlled length. The nanowires are highly oriented and perpendicular to the growth surface. The wires have excellent structural and optical properties, as determined by x-ray diffraction, cathodoluminescence, and Raman scattering. The x-ray measurements show that the nanowires are under a complex strain state consistent with a superposition of hydrostatic and biaxial components

چکیده

رشد کنترل شده و تکرارپذیر نانوسیم های GaN به وسیله رسوبگیری پالسی بخار شیمیایی فلز آلی در فشار کم به اثبات می رسد. استفاده از نانونقاط Ni خودتجمعی بعنوان محل های هسته سازی روی زیرلایه های یاقوت (0001) ، ما نانوسیم هایی از جنس GaN در فاز وورزیت (wurtzite-phase) به دست می آوریم که سطح مقطع های شش گوش به قطر حدود 100 nm و طول کنترل شده دارند. نانوسیم ها کاملا جهت دارد و عمود بر سطح رشد هستند. سیم ها مشخصات ساختاری و اپتیکی خوبی دارند که توسط پراش پرتو ایکس، نورتابی کاتدی و پراکندگی رامان مشخص می شوند. اندازه گیری ها نشان می دهند که نانوسیم ها تحت وضعیت کششی پیچیده ای هستند که مطابق با هم پوشانی مولفه های هیدروستاتیک و دومحوری آنهاست.

مقدمه

نانوسیم های نیمرسانا ساختارهای شبه تک بعدی دارند و خصوصیات الکتریکی و اپتیکی خاصی از خود نشان می دهند. تحقیقات قابل توحهی به سنتز نانوسیم های GaN معطوف شده است. تهیه سیم به کمک اپی تکسی پرتو مولکولی ، ساییدگی لیزری هدف های حاوی GaN، واکنش مخلوط Ga/Ga2O3 با NH3 در نمونه های آمونیاک آندی، واکنش مستقیم Ga با NH3 در یک کوره تیوبی و رسوبگیری بخار شیمیایی از پیش ماده های حاوری Ga و روی زیرلایه های NH3  با روکش کاتالیست همه گزارش شده اند. تهیه سیم معمولا بر اساس مکانیزم رشد بخار-مایع-جامد (VLS) با استفاده از نانوذرات کاتالیستی In، Au, Fe, Ni,  یا  Co صورت می گیرد. توجه زیادی اخیرا به سنتز نانوسیم های GaN به وسیله رسوبگیری بخار شیمیایی فلز آلی (MOCVD) معطوف شده است. در این کار نمونه های نانوسیم توسط MOCVD کم فشار در یک راکتور سر دوش بسته رشد یافتند...


خدمات ترجمه و ویرایش گروه ترجمه تخصصی البرز برای رشته فیزیک