Skip Navigation Linksلیست مقالات ترجمه شده / خرید و دانلود
692,150

پیش از اقدام به خرید ترجمه فارسی می توایند نسخه انگلیسی را به صورت رایگان دانلود و بررسی نمایید. متن چکیده و ترجمه آن در پایین همین صفحه قابل مشاهده است.
دانلود رایگان مقاله انگلیسی
موسسه ترجمه البرز اقدام به ترجمه مقاله " مهندسی برق " با موضوع " مدل تحلیلی ولتاژ آستانه‌ی ماسفت‌های با کانال گود شده " نموده است که شما کاربر عزیز می توانید پس از دانلود رایگان مقاله انگلیسی و مطالعه ترجمه چکیده و بخشی از مقدمه مقاله، ترجمه کامل مقاله را خریداری نمایید.
عنوان ترجمه فارسی
مدل تحلیلی ولتاژ آستانه‌ی ماسفت‌های با کانال گود شده
نویسنده/ناشر/نام مجله :
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
سال انتشار
2010
کد محصول
1000889
تعداد صفحات انگليسی
5
تعداد صفحات فارسی
9
قیمت بر حسب ریال
635,000
نوع فایل های ضمیمه
pdf+word
حجم فایل
502 کیلو بایت
تصویر پیش فرض



 

چکیده

ولتاژ آستانه یکی از مهم‌ترین عوامل در مدلسازی افزاره است. در این مقاله روشی تحلیلی برای محاسبه‌ی ولتاژ آستانه‌ی ماسفت‌های RC مورد مطالعه قرار می‌گیرد. اگر پارامترهای اساسی افزاره مثل شعاع، ضخامت لایه‌ی اکسید وغلظت دوپینگ را بدانیم، می‌توان ولتاژ آستانه را به‌سادگی با استفاده از این مدل به‌دست آورد. این مدل با شبیه‌سازی عددی دوبعدی افزاره، ولتاژ آستانه را پیش‌بینی می‌کند.

1-مقدمه

ماسفت پلانار کلاسیک به‌علت جریان تونل‌زنی از طریق اکسید فوق نازک گیت در حال نزدیک شدن به حد مقیاس‌گذاری خودش است. برای بهبود مقیاس‌پذیری تکنولوژی CMOS، چندین ماسفت غیر کلاسیک پیشنهاد شده‌است. در میان آنها ماسفت‌های RC برتری‌هایی از لحاظ آثار کانال کوتاه دارند چرا که اثر bottom corner در ناحیه‌ی گودشده بر خلاف آثار DIBL عمل می‌کند[1]. به دلیل علاقه‌مندی به این افزاره، مدلسازی و کاربرد ماسفت RC توسط گروه‌های دیگر هم مورد مطالعه قرار گرفته‌است [2-5].  اگرچه ولتاژ آستانه یک پارامتر اساسی برای پیش‌بینی مشخصه‌های I-V افزاره‌ها است، یک مدل تحلیلی و فشرده‌ی آستانه هنوز گزارش نشده‌است....

 

میتوانید از لینک ابتدای صفحه، مقاله انگلیسی را رایگان دانلود فرموده و چکیده انگلیسی و سایر بخش های مقاله را مشاهده فرمایید.


خدمات ترجمه تخصصی و ویرایش مقاله مهندسی برق در موسسه البرز


ثبت سفارش جدید