A new charge-based compact analytical model for Symmetric Double-Gate Junctionless Transistors is presented. The model is physically-based and considers both the depletion and accumulation operating conditions including the series resistance effects. Most model parameters are related to physical magnitudes and the extraction procedure for each of them is well established. The model provides an accurate continuous description of the transistor behavior in all operating conditions. Among important advantages with respect to previous models are the inclusion of the effect of the series resistance and the fulfilment of being symmetrical with respect to drain voltage equal to zero. It is validated with simulations for doping concentrations of 5  1018 and 1  1019 cm3, as well as for layer thickness of 10 and 15 nm allowing normally-off operation

چکیده

یک مدل تحلیلی شارژشونده کامپکت برای ترانزیستورهای بدون پیوند دوگیتی متقارن پیشنهاد شده است. این مدل یک مدل فیزیکی است که هردو موضوع کاهش مصرف و تجمع یا انباشتگی شرایط عملیاتی را در نظر گرفته است و همچنین اثر مقاومت سری در این مدل گنجانده شده است. اکثر پارامترهای مدل به کمیتهای فیزیکی مربوط می شود، و رویکرد استخراج برای هر یک از آنها به خوبی بیان شده است. این مدل توصیف دقیقی از رفتار ترانزیستور در تمام شرایط عملیاتی خواهد داشت. در مقایسه با مدل های قبلی مزایای این مدل گنجاندن اثر مقاومت سری و تححق بخشیدن به موضوع تقارن نسبت به است. این مدل با شبیه سازی برای مقادیر غلطت های دوپینگ  و  و همچنین برای ضخامت لایه از 10 و 15  نانومتر (در حالت نرمال خاموش) ارزیابی شده است.

1-مقدمه

نانوسیم ها همانند ترانزیستور MOS عمل می کنند، که در آن ناحیه سورس و درین دارای نوع دوپینگ مشابه هستند و غلظت محدوده کانال به عنوان ترانزیستور بدون پیوند (JLT) شناخته شده است. این نوع ترانزیستور، که در سال 2009 [1] پیشنهاد شدند، می تواند در یک ساختار مشابه ترانزیستورهای FINFET  بدون کاشت یونی در سورس/درین و بدون استفاده از لایه کانال به شدت دوپ شده جهت بهبود هدایت ور سانایی ترانزیستور ساخته شود. توصیف مفصل نظری این ترانزیستورها در مقاله [2] ارائه شده، اثر عرض کانال برروی مشخصه های JLT  در مقاله[3]  بررسی شده و تغییرات عملکرد با مقیاس و ابعاد ترانزیستور در [4] توصیف شده است. مدل های مختلف برای پارامترها و بخشهای JLT  ارائه شده اند، به عنوان مثال، در [5]  یک مدل برای ولتاژ آستانه و یک مدل برای بخش زیرآستانه ارائه شده اند...