چکیده
CMOS چند آستانه‌ای تکنیک مداری محبوبی است که امکان کارایی بالا با عملکرد توان پایین را فراهم می‌کند. این تکنولوژی هم ویژگی ماسفت ولتاژ آستانه‌پایین هم ویژگی ماسفت ولتاژ آستانه بالا را در یک مدار از خود نشان می‌دهد. در حالیکه ترانزیستورهای ولتاژ آستانه پایین برای کاهش زمان تاخیر انتشار مورد استفاده قرار می‌گیرند، ترانزیستورهای ولتاژ آستانه بالا برای کاهش مصرف توان مورد استفاده قرار می‌گیرند. این مقاله یک تمام جمع‌کننده‌ی توان پایین با تکنولوژی MTCMOS را توصیف می‌کند. در مقایسه با مدار CMOS متداول، مدار پیشنهادی توان مصرفی را تا 59 درصد کاهش می‌دهد. شبیه‌سازی بر روی tanner EDA در تکنولوژی BSIM3v3 180 nm انجام شده‌است.
1-مقدمه
با ظهور مدارهای مجتمع تاکید بیشتری بر کارایی و کوچک‌سازی شد. ولی با افزایش اهمیت وسایل برقی قابل حمل و وسایلی که با باتری کار می‌کنند، فاکتور کلیدی که باید به آن توجه کرد مصرف توان است. به دلیل پیشرفت تکنولوژی ساخت، اندازه‌ی کوچک می‌شود و منجر به جمع‌شدن ترانزیستورهای بیشتری در یک مدار مجتمع می‌شود. در نتیجه، اندازه‌ی توان بر واحد سطح هم افزایش می‌یابد[1] و مشکل حذف گرما و خنک‌سازی بیشتر می‌شود. برای حفظ دمای تراشه در یک سطح قابل قبول گرمای تلف شده باید حذف شود، از این‌رو هزینه‌ی رفع گرما و خنک‌سازی در این مدارها فاکتور مهمی است. به دلیل مکانیزم شکست سیلیکون از جمله الکترومیگریشن در اثر اتلاف زیاد توان قابلیت اطمینان تراشه به میزان زیادی کاهش می‌یابد. مقیاس‌گذاری خطی ولتاژ منبع با اندازه از تکنولوژی نیم میکرون شروع شد. ولی مقیاس‌گذاری منبع توان بر روی سرعت مدار تاثیر می‌گذارد[2]. طراحی مدارهایی با توان کم و سرعت بالا مستلزم صرف زمان و تلاش است...
میتوانید از لینک ابتدای صفحه، مقاله انگلیسی را رایگان دانلود فرموده و چکیده انگلیسی و سایر بخش های مقاله را مشاهده فرمایید.