Skip Navigation Linksلیست مقالات ترجمه شده / مقالات ترجمه شده مهندسی برق /

عنوان ترجمه شده مقاله: تنظیم هارمونیک اسیلاتور RF با استفاده از ترانزیستورهای گالیم نیترید HEMT

در این مقاله تنظیم هارمونیک یک اسیلاتور راندمان بالا با استفاده از ترانزیستور تحرک الکترون بالا گالیم نیترید (HEMTs) طراحی شده است

Abstract

A harmonic-tuned high efficiency oscillator is designed using gallium nitride (GaN) high electron mobility transistors (HEMTs). The harmonic load-pull simulation is performed to find the voltage and current waveforms and to locate the optimum load impedance for high efficiency operation of the transistor. Then, the feedback network for the oscillation is synthesized based on the load-pull data. The series resonant circuit is employed in the feedback network to provide open circuit to the load network at harmonic frequencies. Therefore, the load network can be designed separately from the feedback network to present the optimum harmonic load impedances. In this way, the transistor in the oscillator can achieve the optimum voltage and current waveforms determined by the harmonic load-pull simulation. The fabricated GaN oscillator using the proposed design approach shows the maximum efficiency of 80.2% and output power of 35.1 dBm at 2.42 GHz under drain bias voltage of 22 V

چکیده

در این مقاله تنظیم هارمونیک یک اسیلاتور راندمان بالا با استفاده از ترانزیستور تحرک الکترون بالا گالیم نیترید (HEMTs) طراحی شده است. شبیه سازی هارمونیک (کشش-بار) برای یافتن شکل موج ولتاژ و جریان و قرار دادن امپدانس بار بهینه جهت بهره وری بالا از ترانزیستور انجام شده است. سپس، بر اساس اطلاعات کشش بارالکتریکی یک شبکه فیدبک برای ایجاد نوسان سنتز شده است. برای شبکه فیدبک دار در فرکانسهای هارمونیک، مدارهای تشدید سری به صورت مدار باز به شبکه بار متصل شده اند. بنابراین، بار شبکه را می توان به طور جداگانه از طریق شبکه فیدبک دار جهت ارائه مطلوب امپدانس بار هارمونیک طراحی کرد. به این ترتیب، ترانزیستور موجود در نوسان ساز می تواند شکل موج بهینه ولتاژ و جریان که توسط شبیه سازی هارمونیک بار الکتریکی تعیین شده است، دست یابد. نوسان ساز طراحی شده با استفاده از این روش طراحی، بهره وری حداکثر از 80.2٪ و توان خروجی 35.1 DBM  در فرکانس2.42  گیگاهرتز تحت ولتاژ بایاس درین 22 V را نشان می­دهد.

کلید واژه: ترانزیستورهای گالیت نیترید HEMT، راندمان، اسیلاتور، RF

1-مقدمه

اسیلاتورهای با کارایی بالا جزء بلوک های مهم منبع توان RF و سیستم های مايكروويو شامل ارتباطات، رادار و انتقال توان بیسیم(WPT) هستند. به عنوان مثال، راندمان تبدیل توان نوسان ساز DC به RF یک فاکتور غالب در تعیین بازده کلی سیستم های WPT  است [1]. بنابراین، بسیاری از مقالات برروی طراحی اسیلاتورهای قدرت راندمان بالایRF  متمرکز شده اند. در همین راستا حالتهای مختلف سوئیچینگ مانند کلاس E و F به طور گسترده ای برای طراحی نوسان ساز با کارایی بالا استفاده شده اند [2]–[6]. شبکه بار شامل مدارهای رزونانس است که هارمونیک مطلوب را برای تعویض حالات سوئیچینگ تعیین می­کنند...


موسسه ترجمه البرز اقدام به ترجمه مقاله " مهندسی برق " با موضوع " تنظیم هارمونیک اسیلاتور RF با استفاده از ترانزیستورهای گالیم نیترید HEMT " نموده است که شما کاربر عزیز می توانید پس از دانلود رایگان مقاله انگلیسی و مطالعه ترجمه چکیده و بخشی از مقدمه مقاله، ترجمه کامل مقاله را خریداری نمایید.
عنوان ترجمه فارسی
تنظیم هارمونیک اسیلاتور RF با استفاده از ترانزیستورهای گالیم نیترید HEMT
نویسنده/ناشر/نام مجله :
IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENTS LETTERS
سال انتشار
2012
کد محصول
1002550
تعداد صفحات انگليسی
3
تعداد صفحات فارسی
10
قیمت بر حسب ریال
676,500
نوع فایل های ضمیمه
Pdf+Word
حجم فایل
701 کیلو بایت
تصویر پیش فرض


این مقاله ترجمه شده را با دوستان خود به اشتراک بگذارید
سایر مقالات ترجمه شده مهندسی برق را مشاهده کنید.
کاربر عزیز، بلافاصله پس از خرید مقاله ترجمه شده مقاله ترجمه شده و با یک کلیک می توانید مقاله ترجمه شده خود را دانلود نمایید. مقاله ترجمه شده خوداقدام نمایید.
جهت خرید لینک دانلود ترجمه فارسی کلیک کنید
جستجوی پیشرفته مقالات ترجمه شده
برای کسب اطلاعات بیشتر، راهنمای فرایند خرید و دانلود محتوا را ببینید
هزینه این مقاله ترجمه شده 676500 ریال بوده که در مقایسه با هزینه ترجمه مجدد آن بسیار ناچیز است.
اگر امکان دانلود از لینک دانلود مستقیم به هر دلیل برای شما میسر نبود، کد دانلودی که از طریق ایمیل و پیامک برای شما ارسال می شود را در کادر زیر وارد نمایید


این مقاله ترجمه شده مهندسی برق در زمینه کلمات کلیدی زیر است:




GaN HEMT
efficiency
oscillator
RF

تاریخ انتشار در سایت: 2014-11-24
جستجوی پیشرفته مقالات ترجمه شده

خدمات ترجمه تخصصی و ویرایش مقاله مهندسی برق در موسسه البرز

نظرتان در مورد این مقاله ترجمه شده چیست؟

ثبت سفارش جدید