Abstract
We propose a new MOS-IGBT device with improved characteristics for high-temperature operation. It is achieved by inserting in the same LDMOS device P+ diffusions in the drain with various N+/P+ ratios. 3D TCAD simulations are used to optimize the original structure in particular, to validate drain and source engineering solutions aimed at providing a latch-up free operation
چکیده
یک دیوایس MOS-IGBT با مشخصه بهبود یافته برای عملکرد دما بالا ارائه می کنیم. این کار با نفوذ P+ در درین با نسبت های N+/P+ مختلف در همان دیوایس LDMOS انجام می شود. شبیه سازی های TCAD سه بعدی برای بهینه کردن ساختار اصلی مورد استفاده قرار می گیرند تا راه حل های مهندسی با هدف فراهم کردن عملکرد latch-up آزاد را تایید کنند.
1- مقدمه
در توسعه پایدار و برای مواجهه با چالش های کمبود انرژی فسیلی، انتقال ها بیشتر به صورت الکتریکی انجام می شوند و نیازمند نسلی نو از دیوایس های توان و مدارهای الکترونیکی می باشند. به ویژه، با پیدایش نیمه هادی پهن باند مانند GaN و SiC، مدار محرکی [1] که با فناوری سیلیکون محقق شده است، باید تا جای ممکن به دیوایس های توان نزدیک باشد و باید بتواند در دماهای بالا کار کند...