Skip Navigation Linksلیست مقالات ترجمه شده / مقالات ترجمه شده مهندسی كامپيوتر /

عنوان ترجمه شده مقاله: شناسایی سلسله مراتب حافظه ی مبتنی بر RAM مغناطیسی برای معماری چندهسته ای

سیستم های حافظه ای امروز به طور عمده فناوری های SRAM, DRAM و FLASH را در هم ادغام می کنند. SRAM و DRAM به طور عمده برای حافظه های کاری و کش استفاده می شوند در حالیکه حافظه ی FLASH برای انباره ی غیر فرار در سرعت پایین استفاده می شود

Abstract

Today's memory systems mainly integrate SRAM, DRAM and FLASH technologies. SRAM and DRAM are generally used for cache and working memory, while FLASH memory is used for non-volatile storage at low speed. But all are facing to manufacturing constraints in the most advanced node, which compromises further evolution. Besides, with the increasing size of the memory system, a significant portion of the total system power is spent into memories. Magnetic RAM (MRAM) technology is a very attractive alternative offering simultaneously reasonable performance and power consumption efficiency, high density and non-volatility. While MRAM is always under severe investigation to improve manufacturing process, the state of the art shows that this memory technology can be accessed in less than 5ns with a read/write dynamic energy not so far to SRAM dynamic energy. Besides, non-volatility of MRAM can be used for optimizing leakage current thanks to instant on/off policies. This paper demonstrates how current characteristics of MRAM can be used into memory hierarchy of multiprocessor chips (CMPs). The goal is to highlight the interest to use MRAM for cache memory in order to keep overall application performance saving static power

چکیده

سیستم های حافظه ای امروز به طور عمده فناوری های SRAM, DRAM و FLASH را در هم ادغام می کنند. SRAM و DRAM به طور عمده برای حافظه های کاری و کش استفاده می شوند در حالیکه حافظه ی FLASH برای انباره ی غیر فرار در سرعت پایین استفاده می شود. اما همه ی این حافظه ها با محدودیت های ساخت در پیشرفته ترین گره مواجه می شوند که روند تکاملی روبه رشد را به خطر انداخته است. علاوه بر این، با افزایش اندازه ی سیستم حافظه، بخش قابل توجهی از قدرت کامل سیستم برای حافظه صرف می شود. فناوری مغناطیسی RAM  (MRAM)  یک جایگزین بسیار جذاب است که کارایی مصرف توان و عملکرد همزمان منطقی با تراکم بالا و غیرفرار ارائه می دهد، در حالیکه MRAM همیشه تحت بررسی جدی بوده است تا فرآیند تولید را بهبود بخشد، آخرین پیشرفت های علمی نشان می دهند که این فناوری حافظه می تواند در کمتر از 5 نانوثانیه با انرژی پویای نوشتن/خواندن نه چندان دور از انرژی پویای SRAM  در دسترس قرار گیرد. علاوه بر این، غیرفرار بودن MRAM را می توان به لطف سیاست های On/OFF برای بهینه سازی جریان خطا (جریان تراوشی) به کار برد. این مقاله نشان می دهند که چگونه مشخصه های جریان MRAM را می توان در سلسله مراتب حافظه ی تراشه های چندپردازنده ای (CMP) استفاده کرد. هدف نشان دادن تمایل به استفاده از MRAM برای حافظه ی کش است تا با صرفه جویی در توان استاتیک، عملکرد کلی را حفظ کنیم.

1-مقدمه

از آنجایی که SRAM سریعترین فناوری حافظه است، در حال حاضر برای طراحی سطح بالایی حافظه ی کش انتخاب شده است تا به این صورت بتوان به خصوص برای معماری های چند پردازنده به بالاترین کارایی دست یافت. امروزه مسئله ی SRAM، گره ای را که بالاترین جریان خطا را داشته، کاهش داده است. DRAM یک سطح پایین تر از سلسله مراتب حافظه را اشغال می کند زیرا آهسته تر است اما تراکم بالاتری نسبت به SRAM دارد...


موسسه ترجمه البرز اقدام به ترجمه مقاله " مهندسی كامپيوتر " با موضوع " شناسایی سلسله مراتب حافظه ی مبتنی بر RAM مغناطیسی برای معماری چندهسته ای " نموده است که شما کاربر عزیز می توانید پس از دانلود رایگان مقاله انگلیسی و مطالعه ترجمه چکیده و بخشی از مقدمه مقاله، ترجمه کامل مقاله را خریداری نمایید.
عنوان ترجمه فارسی
شناسایی سلسله مراتب حافظه ی مبتنی بر RAM مغناطیسی برای معماری چندهسته ای
نویسنده/ناشر/نام مجله :
IEEE Computer Society Annual Symposium on VLSI
سال انتشار
2014
کد محصول
1008205
تعداد صفحات انگليسی
4
تعداد صفحات فارسی
14
قیمت بر حسب ریال
635,000
نوع فایل های ضمیمه
Pdf+Word
حجم فایل
352 کیلو بایت
تصویر پیش فرض


این مقاله ترجمه شده را با دوستان خود به اشتراک بگذارید
سایر مقالات ترجمه شده مهندسی كامپيوتر را مشاهده کنید.
کاربر عزیز، بلافاصله پس از خرید مقاله ترجمه شده مقاله ترجمه شده و با یک کلیک می توانید مقاله ترجمه شده خود را دانلود نمایید. مقاله ترجمه شده خوداقدام نمایید.
جهت خرید لینک دانلود ترجمه فارسی کلیک کنید
جستجوی پیشرفته مقالات ترجمه شده
برای کسب اطلاعات بیشتر، راهنمای فرایند خرید و دانلود محتوا را ببینید
هزینه این مقاله ترجمه شده 635000 ریال بوده که در مقایسه با هزینه ترجمه مجدد آن بسیار ناچیز است.
اگر امکان دانلود از لینک دانلود مستقیم به هر دلیل برای شما میسر نبود، کد دانلودی که از طریق ایمیل و پیامک برای شما ارسال می شود را در کادر زیر وارد نمایید


این مقاله ترجمه شده مهندسی كامپيوتر در زمینه کلمات کلیدی زیر است:



MRAM
NVM
Memory hierarhy

تاریخ انتشار در سایت: 2016-06-07
جستجوی پیشرفته مقالات ترجمه شده

خدمات ترجمه تخصصی و ویرایش مقاله مهندسی كامپيوتر در موسسه البرز

نظرتان در مورد این مقاله ترجمه شده چیست؟

ثبت سفارش جدید