چکیده
این مقاله به بررسی مواجهۀ شغلی با تولید میدان مغناطیسی متغیر با زمان در سیستم های یکسوساز یا توان بالا می پردازد. دو نوع سیستم یکسوساز مختلف با توان بالا و با جریان اسمی 25 کیلو آمپر مدل سازی و تحلیل شده است. عملکرد آنها بر اساس دستورالعمل های مواجهۀ ارائه شده توسط کمیسیون بین المللی حفاظت از تشعشعات غیر یونیزه (ICNIRP) مقایسه و ارزیابی شده است. برای متمرکز شدن بر روی تاثیر کیفی عملیات یکسوساز، ساختار مکانیکی رساناهای حامل جریان به صورت مدل شینه با طول بی نهایت ساده شده و مانده هارمونیک های فرکانس پایین تا 65 کیلو هرتز در نظر گرفته شده است. یکسوساز تریستور مقدار قابل توجهی مانده هارمونیک های فرکانس پایین میدان مغناطیسی در هر دو طرف ac و dc یکسوساز ایجاد می کند، که این نقض محدودیت ICNIRP می باشد. یکسوساز چند سطحی نوع IGCT میدان تقریبا ناچیزی از طرف ورودی ac و مانده هارمونیک های کوچکتری در طرف بار dc ایجاد می کند، و این مطابق با دستورالعمل های ICNIRP می باشد. این مزیت قابل توجه یکسوساز چند سطحی نوع IGCT می تواند منجر به طراحی ساده تر سایت تاسیسات و تطابق مقرون به صرفه با دستورالعمل های مواجهۀ شغلی در برابر میدان مغناطیسی شود.
1- مقدمه
یکسوساز دیود و تریستور برای چندین سال پلتفرم غالب فن آوری یکسوسازهای بزرگ جریان بوده اند. این سیستم های دیود و تریستور که قابلیت آنها کاملا به اثبات رسیده است، همچنان نیز عملکرد قابل اطمینان و مقرون به صرفه ای ارائه می دهند. این مزایا در سیستم های یکسوساز با جریان بالاتر بیشتر به چشم می آید [1]. در سال های اخیر، بهبود ولتاژ و جریان اسمی ترانزیستورهای دوقطبی با گیت عایق شده (IGBT) امکان استفاده از دستگاه سوئیچینگ خاموش شونده در یکسوسازهای توان بالا را میسر ساخته است. تلاش هایی برای به کار گیری تکنولوژی IGBT در سیستم های یکسوساز توان بالا انجان شده است [2]. یکسوساز چاپر که از ترکیب یکسوسازهای دیود غیر قابل تنظیم و مبدل dc/dc کاهنده با استفاده از IGBT برای تولید جریان dc کنترل شدۀ بزرگ استفاده می کند در پژوهش های قبلی ارائه شده است [3]-[5]. تریستور با گیت یکپارچه و مجتمع برای هدایت و تغییر جریان تحریک و ایجاد یک جریان مداوم (IGCT) به عنوان یک GTO پیشرفته در اواخر دهۀ 1990 برای صنایع کاربردی توان بالا و ولتاژ متوسط عرضه شده است [6]، [7]…
میتوانید از لینک ابتدای صفحه، مقاله انگلیسی را رایگان دانلود فرموده و چکیده انگلیسی و سایر بخش های مقاله را مشاهده فرمایید.