کاربر گرامی Skip Navigation Linksشما اینجا هستید -> صفحه اصلی > دپارتمان های گروه ترجمه تخصصی البرز > دپارتمان فنی و مهندسی > مهندسی مواد و متالوژی > محصولات رشته مهندسی مواد و متالوژی > مقاله با ترجمه فارسی رشته مهندسی مواد و متالوژی > رشد کنترل شده ی نانوسیم های GaN به وسیله رسوبگیری پالسی بخار شیمیایی فلز آلی

دانلود ترجمه مقاله درباره رشد کنترل شده ی نانوسیم های GaN به وسیله رسوبگیری پالسی بخار شیمیایی فلز آلی

گروه ترجمه تخصصی البرز اقدام به ترجمه مقاله " فیزیک " با موضوع " رشد کنترل شده ی نانوسیم های GaN به وسیله رسوبگیری پالسی بخار شیمیایی فلز آلی " نموده است که شما کاربر گرامی می توانید پس از دانلود رایگان مقاله انگلیسی و مطالعه ترجمه چکیده و بخشی از مقدمه مقاله، ترجمه کامل مقاله را خریداری نمایید.
عنوان مقاله انگليسي

Controlled growth of GaN nanowires by pulsed metalorganic chemical vapor deposition

نویسنده/ناشر/نام مجله :
APPLIED PHYSICS LETTERS
سال انتشار
2005
کد محصول
1000169
تعداد صفحات انگليسي
3
تعداد صفحات فارسي
8
قیمت بر حسب ریال
70000
نوع فایل های ضمیمه
Pdf+Word
حجم فایل
622 کیلو بایت
تصویر پیش فرض


سایر مقالات ترجمه شده فیزیک , نانوفناوری , شيمی , مهندسی مواد و متالوژی را مشاهده کنید.
کاربر گرامی، بلافاصله پس از خرید مقاله ترجمه شده لینک دانلود آن برای شما فعال می شود. لینک دانلود مقاله ترجمه شده به ایمیل شما هم ارسال می شود و با یک کلیک می توانید مقاله ترجمه شده خود را دانلود نمایید. در صورت تمایل می توانید با استفاده از کد دانلودی که برای شما ارسال می شود نیز به دانلود مقاله ترجمه شده خوداقدام نمایید.
جهت خرید لینک دانلود ترجمه فارسی کلیک کنید
جستجوی پیشرفته مقالات ترجمه شده
برای کسب اطلاعات بیشتر، راهنمای فرایند خرید و دانلود محتوی را ببینید
قیمت لینک 70000 ریال بوده و به مدت یک هفته اعتبار خواهد داشت .



 
Abstarct

Controlled and reproducible growth of GaN nanowires is demonstrated by pulsed low-pressure metalorganic chemical vapor deposition. Using self-assembled Ni nanodots as nucleation sites on s0001d sapphire substrates we obtain nanowires of wurtzite-phase GaN with hexagonal cross sections, diameters of about 100 nm, and well-controlled length. The nanowires are highly oriented and perpendicular to the growth surface. The wires have excellent structural and optical properties, as determined by x-ray diffraction, cathodoluminescence, and Raman scattering. The x-ray measurements show that the nanowires are under a complex strain state consistent with a superposition of hydrostatic and biaxial components

چکیده

رشد کنترل شده و تکرارپذیر نانوسیم های GaN به وسیله رسوبگیری پالسی بخار شیمیایی فلز آلی در فشار کم به اثبات می رسد. استفاده از نانونقاط Ni خودتجمعی بعنوان محل های هسته سازی روی زیرلایه های یاقوت (0001) ، ما نانوسیم هایی از جنس GaN در فاز وورزیت (wurtzite-phase) به دست می آوریم که سطح مقطع های شش گوش به قطر حدود 100 nm و طول کنترل شده دارند. نانوسیم ها کاملا جهت دارد و عمود بر سطح رشد هستند. سیم ها مشخصات ساختاری و اپتیکی خوبی دارند که توسط پراش پرتو ایکس، نورتابی کاتدی و پراکندگی رامان مشخص می شوند. اندازه گیری ها نشان می دهند که نانوسیم ها تحت وضعیت کششی پیچیده ای هستند که مطابق با هم پوشانی مولفه های هیدروستاتیک و دومحوری آنهاست.

مقدمه

نانوسیم های نیمرسانا ساختارهای شبه تک بعدی دارند و خصوصیات الکتریکی و اپتیکی خاصی از خود نشان می دهند. تحقیقات قابل توحهی به سنتز نانوسیم های GaN معطوف شده است. تهیه سیم به کمک اپی تکسی پرتو مولکولی ، ساییدگی لیزری هدف های حاوی GaN، واکنش مخلوط Ga/Ga2O3 با NH3 در نمونه های آمونیاک آندی، واکنش مستقیم Ga با NH3 در یک کوره تیوبی و رسوبگیری بخار شیمیایی از پیش ماده های حاوری Ga و روی زیرلایه های NH3  با روکش کاتالیست همه گزارش شده اند. تهیه سیم معمولا بر اساس مکانیزم رشد بخار-مایع-جامد (VLS) با استفاده از نانوذرات کاتالیستی In، Au, Fe, Ni,  یا  Co صورت می گیرد. توجه زیادی اخیرا به سنتز نانوسیم های GaN به وسیله رسوبگیری بخار شیمیایی فلز آلی (MOCVD) معطوف شده است. در این کار نمونه های نانوسیم توسط MOCVD کم فشار در یک راکتور سر دوش بسته رشد یافتند...



خدمات ترجمه و ویرایش گروه ترجمه تخصصی البرز برای رشته فیزیک

زکات علم آموزش و نشر آن است
یکی از اهداف گروه علمی البرز گسترش علم و دانش از طریق ایجاد امکان دسترسی جامعه دانشگاهی به منابع علمی است. از این رو مقالات ترجمه شده رشته فیزیک در سایت گروه علمی البرز ارائه شده است. مقالات انگلیسی رایگان هستند و در همین راستا از اساتید، دانشجویان و محققان رشته فیزیک دعوت می نماییم تا گروه علمی البرز را در این امر خطیر همراهی نمایند.
شما می توانید ازمنابع علمی که در اختیار دارید، درآمد کسب کرده و یا آنها را به صورت رایگان در اختیار جامعه علمی کشور قرار دهید. برای کسب اطلاعات بیشتر در این خصوص :
ارتباط با گروه ترجمه تخصصی البرز

نظرات کاربران به این صفحه