Abstract
A 10.5 Gb/s modified shunt-feedback transimpedance amplifier in a commercial 0.35 μm SiGe BiCMOS technology is presented. A capacitive emitter degeneration technique was used to improve the bandwidth performance of the transimpedance amplifier. It achieved a transimpedance gain of 56 dB Ω, a _3 dB bandwidth of 6.2 GHz with a 0.4 pF input parasitic capacitance value, and a noise current spectral density of 9.46 pA/(Hz)1/2. The total circuit dissipates 29mW under a 3.3 V supply, and the chip size is only 0.25×0.165 mm2
چکیده
یک تقویت کننده با امپدانس جهتی با فیدبک موازی اصلاح شده با فناوری تجاری SiGe (سیلیکون ژرمانیم) BiCMOS 0.35 میکرومتر ارائه می شود. یک روش بازتولید امیتر خازنی برای بهبود عملکرد پهنای باند تقویت کننده با امپدانس جهتی به کار رفته است. بهره امپدانس جهتی 56dB Ω، پهنای باند -3dB برابر با 6.2 GHz با مقدار ظرفیت خازن پارازیتی 0.4 pF و چگالی طیف جریان نویز 9.46 pA/(Hz)1/2 حاصل می شود. مدار کلی با منبع تغذیه 3.3 ولتی، 29mW توان تلف می کند و اندازه تراشه فقط 0.25×0.165mm2 است.
1-مقدمه
معمولا ساخت عناصر آنالوگ با گیرنده نوری (AFE) و آشکارسازهای نوری به شدت به فناوری های نیمه رسانای پرهزینه وابسته است زیرا قطعات و مدارات ساخته شده عملکرد سرعت و نویز بسیار خوبی نشان می دهند. در سال های اخیر، فناوری SiGe BiCMOS جایگزین مناسبی از نظر هزینه برای آی سی (مدار مجتمع) های مخابراتی و توسعه آشکارسازهای نوری شده است. در این مقاله، فناوری تجاری SiGe (سیلیکون ژرمانیم) BiCMOS 0.35 میکرومتر با fT (فرکانس قطع) 50 GHz به دلیل هزینه کمتر و توانایی فرکانس قطع معقول، برای تحقق یک تقویت کننده با امپدانس جهتی دو طبقه (TIA) برای کاربردهای 10.5 Gb/s انتخاب شده است...