Skip Navigation Linksلیست مقالات ترجمه شده / مقالات ترجمه شده مهندسی برق /

عنوان ترجمه شده مقاله: یک گیت حداقل کارآمد با هفت ورودی مبتنی بر CNTFET

فناوری نیمه هادی اکسید فلز مکمل (CMOS) در ابعاد نانو با چالش های بحرانی مواجه شده است. فناوری CNTFET (ترانزیستور اثر میدان نانو لوله کربنی) یک جایگزین پرآتیه برای فناوری CMOS است
Abstract

Complementary metal oxide semiconductor technology (CMOS) has been faced critical challenges in nanoscale regime. CNTFET (Carbon Nanotube Field effect transistor) technology is a promising alternative for CMOS technology. In this paper, we proposed a novel 7-input minority gate in CNTFET technology that has only 9 CNTFETs. Minority function is utilized in the voting systems for decision making and also it is used in data mining. This proposed 7-input minority gate is utilized less fewer transistors than the conventional CMOS method which utilizes many transistors for implementing sum of products. By means of this proposed 7-input minority gate, a 4-input NAND gate can be implemented, which gets better the conventional design in terms of delay and energy efficiency and has much more deriving power at its Output

چکیده

فناوری نیمه هادی اکسید فلز مکمل (CMOS) در ابعاد نانو با چالش های بحرانی مواجه شده است. فناوری CNTFET (ترانزیستور اثر میدان نانو لوله کربنی) یک جایگزین پرآتیه برای فناوری CMOS است. در این مقاله، یک گیت حداقل با هفت ورودی مدرن در فناوریCNTFET ارائه شده است که تنها 9 CNTFET دارد. تابع حداقل در سیستم های رای گیری برای تصمیم گیری و در سیستم های داده  کاوی استفاده می شود. این گیت حداقل با هفت ورودی که در اینجا ارائه شده است تعداد ترانزیستور کمتری در مقایسه با روشCMOS متداول که از تعداد زیادی ترانزیستور برای پیاده سازی جمع حاصلظرب بهره می گیرد، استفاده می کند. با استفاده از این گیت ارائه شده، می توان یک گیت NAND 44 ورودی را پیاده سازی کرد، که در مقایسه با طراحی متداول از نظر تاخیر و بازده انرژی بهتر است و توان راه اندازی بالاتری در خروجی دارد.

1-مقدمه

همانطور که Gordon Moore در 1965 پیش بینی کرد، تعداد ترانزیستورهای روی تراشه های هر 18 ماه دو برابر می شود [1]. بنابراین، برای قراردادن تعداد بیشتری روی تراشه ها، باید بتوان حداقل طول ترانزیستورها را کاهش داد. CMOS دیگر برای ابعاد نانو مناسب نیست. با کوچک کردن حداقل اندازه طول فناوری CMOS،  چالش های بسیاری به وجود می آیند. محدودیت های لیتوگرافی، تغییرات پارامتری شدید و چگالی توان بالا برخی از این چالش ها هستند...


موسسه ترجمه البرز اقدام به ترجمه مقاله " مهندسی برق " با موضوع " یک گیت حداقل کارآمد با هفت ورودی مبتنی بر CNTFET " نموده است که شما کاربر عزیز می توانید پس از دانلود رایگان مقاله انگلیسی و مطالعه ترجمه چکیده و بخشی از مقدمه مقاله، ترجمه کامل مقاله را خریداری نمایید.
عنوان ترجمه فارسی
یک گیت حداقل کارآمد با هفت ورودی مبتنی بر CNTFET
نویسنده/ناشر/نام مجله :
International Journal of VLSI design & Communication Systems
سال انتشار
2013
کد محصول
1009815
تعداد صفحات انگليسی
9
تعداد صفحات فارسی
12
قیمت بر حسب ریال
841,500
نوع فایل های ضمیمه
Pdf+Word
حجم فایل
524 کیلو بایت
تصویر پیش فرض


این مقاله ترجمه شده را با دوستان خود به اشتراک بگذارید
سایر مقالات ترجمه شده مهندسی برق , نانوفناوری را مشاهده کنید.
کاربر عزیز، بلافاصله پس از خرید مقاله ترجمه شده مقاله ترجمه شده و با یک کلیک می توانید مقاله ترجمه شده خود را دانلود نمایید. مقاله ترجمه شده خوداقدام نمایید.
جهت خرید لینک دانلود ترجمه فارسی کلیک کنید
جستجوی پیشرفته مقالات ترجمه شده
برای کسب اطلاعات بیشتر، راهنمای فرایند خرید و دانلود محتوا را ببینید
هزینه این مقاله ترجمه شده 841500 ریال بوده که در مقایسه با هزینه ترجمه مجدد آن بسیار ناچیز است.
اگر امکان دانلود از لینک دانلود مستقیم به هر دلیل برای شما میسر نبود، کد دانلودی که از طریق ایمیل و پیامک برای شما ارسال می شود را در کادر زیر وارد نمایید


این مقاله ترجمه شده مهندسی برق در زمینه کلمات کلیدی زیر است:




Nanoelectronics
minority function
cntfet technology

تاریخ انتشار در سایت: 2017-01-18
جستجوی پیشرفته مقالات ترجمه شده

خدمات ترجمه تخصصی و ویرایش مقاله مهندسی برق در موسسه البرز

نظرتان در مورد این مقاله ترجمه شده چیست؟

ثبت سفارش جدید