Skip Navigation Linksلیست مقالات ترجمه شده / مقالات ترجمه شده مهندسی برق /

عنوان ترجمه شده مقاله: ساختار اتصال بدنۀ دیود تونلی برای MOSFET های SOI با کارائی بالا

ساختار اتصال بدنۀ دیود تونلی (TDBC) برای MOSFET سیلیکون روی عایق (SOI) بدون اثرات بدنۀ شناور (FBE) در این مقاله ارائه شده و با موفقیت مورد تایید قرار گرفته است
Abstract

A tunnel diode body contact (TDBC) silicon-on-insulator (SOI) MOSFET structure without floating-body effects (FBEs) is proposed and successfully demonstrated. The key idea of the proposed structure is that a tunnel diode is embedded in the source region, so that the accumulated carriers can be released through tunneling. In an n-MOSFET, a heavily doped p+layer is introduced beneath the n+ source region. The simulated and measured results show the suppressed FBE, as expected. Other phenomena that originate from the FBEs, such as the kink, linear kink effect, abnormal subthreshold swing, and small drain-tosource breakdown voltage in the properties, were also sufficiently suppressed. In addition, it should be noted that the proposed SOI MOSFETs are fully laid out and process compatible with SOI CMOS. Hysteresis effects disappear in TDBC SOI MOSFETs, which makes them attractive for digital applications. On the other hand, in analog applications, TDBC SOI MOSFETs are shown to hold the advantage over floating-body SOI MOSFETs due to their higher Gm/ID ratio. TDBC SOI MOSFETs can be considered as one of the promising candidates for digital and analog devices

چکیده

ساختار اتصال بدنۀ دیود تونلی (TDBC) برای MOSFET سیلیکون روی عایق (SOI) بدون اثرات بدنۀ شناور (FBE) در این مقاله ارائه شده و با موفقیت مورد تایید قرار گرفته است. ایدۀ اصلی ساختار پیشنهادی این است که یک دیود تونلی در ناحیۀ سورس تعبیه شود تا حامل های انباشته بتوانند از طریق تونل زنی خارج شوند. در n-MOSFET، لایه ای که به شدت با +p دوپینگ شده است، در زیر ناحیۀ سورس +n قرار داده می شود. نتایج شبیه سازی و اندازه گیری نشان می دهند که FBE، همانطور که انتظار می رفت، حذف شده است. سایر پدیده های ناشی از FBE، مانند کینک، اثر خطی کینک، نوسان غیرطبیعی زیرآستانه، و ولتاژ شکست کوچک درین به سورس در قطعات نیز به اندازۀ کافی حذف شده اند. علاوه بر این، باید توجه داشت که طرح بندی و فرآیند MOSFET های SOI پیشنهادی کاملا سازگار با SOI CMOS می باشند. اثرات پسماند در MOSFET های TDBC SOI از بین می روند، این باعث می شود تا برای کاربردهای دیجیتال جذاب باشند. از طرف دیگر، نشان داده شده است که MOSFET های TDBC SOI در کاربردهای آنالوگ به علت نسبت DGm/I بالاتر خود، نسبت به MOSFET های SOI بدنۀ شناور برتری دارند. MOSFET های TDBC SOI را می توان به عنوان یکی از گزینه های نوید بخش برای قطعات دیجیتال و آنالوگ در نظر گرفت.

1-مقدمه

بهبود عملکرد فرکانس از طریق کاهش ظرفیت خازنی، جریان تحریک بالاتر، و کاهش طول اتصال از جمله مزایای قابل توجه استفاده از سیلیکون روی عایق (SOI) برای کاربردهای آنالوگ هستند. نویز و قفل شدگی از طریق کاهش تزویج زیر لایه به حداقل رسیده اند [1]. با این حال، نگرانی اصلی مربوط به اثرات بدنۀ شناور (FBE) در MOSFET های SOI تهی شدۀ جزئی (PD) ناشی از یونیزاسیون ضربه ای می باشد، که اثر کینک نامیده می شود [2]...


موسسه ترجمه البرز اقدام به ترجمه مقاله " مهندسی برق " با موضوع " ساختار اتصال بدنۀ دیود تونلی برای MOSFET های SOI با کارائی بالا " نموده است که شما کاربر عزیز می توانید پس از دانلود رایگان مقاله انگلیسی و مطالعه ترجمه چکیده و بخشی از مقدمه مقاله، ترجمه کامل مقاله را خریداری نمایید.
عنوان ترجمه فارسی
ساختار اتصال بدنۀ دیود تونلی برای MOSFET های SOI با کارائی بالا
نویسنده/ناشر/نام مجله :
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
سال انتشار
2011
کد محصول
1010230
تعداد صفحات انگليسی
7
تعداد صفحات فارسی
22
قیمت بر حسب ریال
955,000
نوع فایل های ضمیمه
Pdf+Word
حجم فایل
2 مگا بایت
تصویر پیش فرض


این مقاله ترجمه شده را با دوستان خود به اشتراک بگذارید
سایر مقالات ترجمه شده مهندسی برق را مشاهده کنید.
کاربر عزیز، بلافاصله پس از خرید مقاله ترجمه شده مقاله ترجمه شده و با یک کلیک می توانید مقاله ترجمه شده خود را دانلود نمایید. مقاله ترجمه شده خوداقدام نمایید.
جهت خرید لینک دانلود ترجمه فارسی کلیک کنید
جستجوی پیشرفته مقالات ترجمه شده
برای کسب اطلاعات بیشتر، راهنمای فرایند خرید و دانلود محتوا را ببینید
هزینه این مقاله ترجمه شده 955000 ریال بوده که در مقایسه با هزینه ترجمه مجدد آن بسیار ناچیز است.
اگر امکان دانلود از لینک دانلود مستقیم به هر دلیل برای شما میسر نبود، کد دانلودی که از طریق ایمیل و پیامک برای شما ارسال می شود را در کادر زیر وارد نمایید


خدمات ترجمه تخصصی و ویرایش مقاله مهندسی برق در موسسه البرز

نظرتان در مورد این مقاله ترجمه شده چیست؟

ثبت سفارش جدید