Skip Navigation Linksلیست مقالات ترجمه شده / مقالات ترجمه شده مهندسی برق /

عنوان ترجمه شده مقاله: معکوس‌کننده‌ی CMOS فین‌فت تونلی با جریان اتصال کوتاه بسیار پایین برای کاربردهای اینترنت اشیاء با توان فوق‌العاده پایین

ما عملکرد یک معکوس‌کننده‌ی CMOS را که از فین‌فت‌های تونلی سیلیکونی تشکیل شده است را نشان داده ایم. هر دو نوع فین‌فت تونلی نوع n و نوع p با موفقیت ساخته و در یک ویفر SOI یکسان بکار گرفته شدند.

Abstract

We have demonstrated the operation of a CMOS inverter consisting of Si tunnel FinFETs. Both p- and n-type tunnel FinFETs are successfully fabricated and operated on the same SOI wafer. The current mismatch between p- and n-type tunnel FETs is compensated by tuning the number of fin channels. Very low short-circuit current and clear voltage input–output characteristics are obtained. The thin epitaxial channel in the tunnel FinFETs effectively increases the drain current and accordingly reduces the drain capacitance, which could help high-performance tunnel FET CMOS inverter operation

چکیده

ما عملکرد یک معکوس‌کننده‌ی CMOS را که از فین‌فت‌های  تونلی سیلیکونی تشکیل شده است را نشان داده ایم. هر دو نوع فین‌فت تونلی نوع n و نوع p با موفقیت ساخته و در یک ویفر SOI یکسان بکار گرفته شدند. عدم تطابق در جریان میان فین‌فت‌های کانالی نوع n و p با تیون کردن تعدادی کانال فین، جبران سازی شد. جریانِ اتصال کوتاه بسیار پایین بود و مشخصه‌های  ورودی بدست آمدند. کانال اپی‌تکسیال باریک در فین‌فت تونلی، به طور موثری جریان درین را افزایش داده و متعاقبا خازن درین را کاهش می‌دهد، که این می‌تواند به عملکرد خوب معکوس‌کننده‌ی CMOS فت تونلی کمک کند.

1-مقدمه

اینترنت اشیا (IoT) یک موضوع در حال ظهور است. مفهوم آن مبتنی بر یک شبکه‌ی سنسوری "حجیم" با تعداد زیادی گره سنسوری IoT است. این گره‌های  سنسوری باید توسط یک منبع توانِ برداشتِ انرژی از انرژی محیط، بدون داشتن باتری ابتدایی، بکارگرفته شوند، چراکه هزینه‌ی تعویض باتری باید برای پیاده‌سازی تعداد بسیار زیادی گره سنسوری کاهش داده شود.  در حال حاضر، توان مصرفی یک مدار گره سنسوری ، شامل سنسورهای ممز، یک پردازنده‌ی دیجیتال، حافظه‌های  دیجیتال، یک مدل آنالوگ به دیجیتال، و یک سیستم ارتباطاتی RF، به طور قابل ملاحظه ای از یک خازن سورس توان برداشت انرژی بزرگتر است. برای فهم مفهوم IoT، نه تنها افزایش عملکرد برداشت کننده‌ی انرژی بلکه کاهش زیاد در انرژی مصرفیِ مدار سنسور IoT نیز بسیار مهم است....


موسسه ترجمه البرز اقدام به ترجمه مقاله " مهندسی برق " با موضوع " معکوس‌کننده‌ی CMOS فین‌فت تونلی با جریان اتصال کوتاه بسیار پایین برای کاربردهای اینترنت اشیاء با توان فوق‌العاده پایین " نموده است که شما کاربر عزیز می توانید پس از دانلود رایگان مقاله انگلیسی و مطالعه ترجمه چکیده و بخشی از مقدمه مقاله، ترجمه کامل مقاله را خریداری نمایید.
عنوان ترجمه فارسی
معکوس‌کننده‌ی CMOS فین‌فت تونلی با جریان اتصال کوتاه بسیار پایین برای کاربردهای اینترنت اشیاء با توان فوق‌العاده پایین
نویسنده/ناشر/نام مجله :
Japanese Journal of Applied Physics
سال انتشار
2017
کد محصول
1010565
تعداد صفحات انگليسی
5
تعداد صفحات فارسی
15
قیمت بر حسب ریال
968,000
نوع فایل های ضمیمه
Pdf+Word
حجم فایل
1 مگا بایت
تصویر پیش فرض


این مقاله ترجمه شده را با دوستان خود به اشتراک بگذارید
سایر مقالات ترجمه شده مهندسی برق , فیزیک را مشاهده کنید.
کاربر عزیز، بلافاصله پس از خرید مقاله ترجمه شده مقاله ترجمه شده و با یک کلیک می توانید مقاله ترجمه شده خود را دانلود نمایید. مقاله ترجمه شده خوداقدام نمایید.
جهت خرید لینک دانلود ترجمه فارسی کلیک کنید
جستجوی پیشرفته مقالات ترجمه شده
برای کسب اطلاعات بیشتر، راهنمای فرایند خرید و دانلود محتوا را ببینید
هزینه این مقاله ترجمه شده 968000 ریال بوده که در مقایسه با هزینه ترجمه مجدد آن بسیار ناچیز است.
اگر امکان دانلود از لینک دانلود مستقیم به هر دلیل برای شما میسر نبود، کد دانلودی که از طریق ایمیل و پیامک برای شما ارسال می شود را در کادر زیر وارد نمایید


این مقاله ترجمه شده مهندسی برق در زمینه کلمات کلیدی زیر است:



Tunnel FinFET CMOS inverter
Internet of Things application

تاریخ انتشار در سایت: 2017-05-31
جستجوی پیشرفته مقالات ترجمه شده

خدمات ترجمه تخصصی و ویرایش مقاله مهندسی برق در موسسه البرز

نظرتان در مورد این مقاله ترجمه شده چیست؟

ثبت سفارش جدید