Skip Navigation Linksلیست مقالات ترجمه شده / مقالات ترجمه شده مهندسی برق /

عنوان ترجمه شده مقاله: مدل هسته کامپکت (کم حجم) ترانزیستورهای بدون پیوند دوگیتی متقارن

یک مدل تحلیلی شارژشونده کامپکت برای ترانزیستورهای بدون پیوند دوگیتی متقارن پیشنهاد شده است.
Abstract

A new charge-based compact analytical model for Symmetric Double-Gate Junctionless Transistors is presented. The model is physically-based and considers both the depletion and accumulation operating conditions including the series resistance effects. Most model parameters are related to physical magnitudes and the extraction procedure for each of them is well established. The model provides an accurate continuous description of the transistor behavior in all operating conditions. Among important advantages with respect to previous models are the inclusion of the effect of the series resistance and the fulfilment of being symmetrical with respect to drain voltage equal to zero. It is validated with simulations for doping concentrations of 5  1018 and 1  1019 cm3, as well as for layer thickness of 10 and 15 nm allowing normally-off operation

چکیده

یک مدل تحلیلی شارژشونده کامپکت برای ترانزیستورهای بدون پیوند دوگیتی متقارن پیشنهاد شده است. این مدل یک مدل فیزیکی است که هردو موضوع کاهش مصرف و تجمع یا انباشتگی شرایط عملیاتی را در نظر گرفته است و همچنین اثر مقاومت سری در این مدل گنجانده شده است. اکثر پارامترهای مدل به کمیتهای فیزیکی مربوط می شود، و رویکرد استخراج برای هر یک از آنها به خوبی بیان شده است. این مدل توصیف دقیقی از رفتار ترانزیستور در تمام شرایط عملیاتی خواهد داشت. در مقایسه با مدل های قبلی مزایای این مدل گنجاندن اثر مقاومت سری و تححق بخشیدن به موضوع تقارن نسبت به است. این مدل با شبیه سازی برای مقادیر غلطت های دوپینگ  و  و همچنین برای ضخامت لایه از 10 و 15  نانومتر (در حالت نرمال خاموش) ارزیابی شده است.

1-مقدمه

نانوسیم ها همانند ترانزیستور MOS عمل می کنند، که در آن ناحیه سورس و درین دارای نوع دوپینگ مشابه هستند و غلظت محدوده کانال به عنوان ترانزیستور بدون پیوند (JLT) شناخته شده است. این نوع ترانزیستور، که در سال 2009 [1] پیشنهاد شدند، می تواند در یک ساختار مشابه ترانزیستورهای FINFET  بدون کاشت یونی در سورس/درین و بدون استفاده از لایه کانال به شدت دوپ شده جهت بهبود هدایت ور سانایی ترانزیستور ساخته شود. توصیف مفصل نظری این ترانزیستورها در مقاله [2] ارائه شده، اثر عرض کانال برروی مشخصه های JLT  در مقاله[3]  بررسی شده و تغییرات عملکرد با مقیاس و ابعاد ترانزیستور در [4] توصیف شده است. مدل های مختلف برای پارامترها و بخشهای JLT  ارائه شده اند، به عنوان مثال، در [5]  یک مدل برای ولتاژ آستانه و یک مدل برای بخش زیرآستانه ارائه شده اند...


موسسه ترجمه البرز اقدام به ترجمه مقاله " مهندسی برق " با موضوع " مدل هسته کامپکت (کم حجم) ترانزیستورهای بدون پیوند دوگیتی متقارن " نموده است که شما کاربر عزیز می توانید پس از دانلود رایگان مقاله انگلیسی و مطالعه ترجمه چکیده و بخشی از مقدمه مقاله، ترجمه کامل مقاله را خریداری نمایید.
عنوان ترجمه فارسی
مدل هسته کامپکت (کم حجم) ترانزیستورهای بدون پیوند دوگیتی متقارن
نویسنده/ناشر/نام مجله :
Solid-State Electronics
سال انتشار
2014
کد محصول
1005175
تعداد صفحات انگليسی
7
تعداد صفحات فارسی
19
قیمت بر حسب ریال
880,000
نوع فایل های ضمیمه
Pdf+Word
حجم فایل
2 مگا بایت
تصویر پیش فرض


این مقاله ترجمه شده را با دوستان خود به اشتراک بگذارید
سایر مقالات ترجمه شده مهندسی برق , فیزیک , نانوفناوری را مشاهده کنید.
کاربر عزیز، بلافاصله پس از خرید مقاله ترجمه شده مقاله ترجمه شده و با یک کلیک می توانید مقاله ترجمه شده خود را دانلود نمایید. مقاله ترجمه شده خوداقدام نمایید.
جهت خرید لینک دانلود ترجمه فارسی کلیک کنید
جستجوی پیشرفته مقالات ترجمه شده
برای کسب اطلاعات بیشتر، راهنمای فرایند خرید و دانلود محتوا را ببینید
هزینه این مقاله ترجمه شده 880000 ریال بوده که در مقایسه با هزینه ترجمه مجدد آن بسیار ناچیز است.
اگر امکان دانلود از لینک دانلود مستقیم به هر دلیل برای شما میسر نبود، کد دانلودی که از طریق ایمیل و پیامک برای شما ارسال می شود را در کادر زیر وارد نمایید


این مقاله ترجمه شده مهندسی برق در زمینه کلمات کلیدی زیر است:




JLT
Analytical junctionless transistor model
Double-Gate Junctionless Transistor mode

تاریخ انتشار در سایت: 2015-08-10
جستجوی پیشرفته مقالات ترجمه شده

خدمات ترجمه تخصصی و ویرایش مقاله مهندسی برق در موسسه البرز

نظرتان در مورد این مقاله ترجمه شده چیست؟

ثبت سفارش جدید